本发明专利技术提供能够对基板的整个主面实施高速率且均匀的蚀刻处理的基板处理装置及基板处理方法。本发明专利技术的基板处理装置包括：基板保持机构，用于保持基板；喷嘴体，具有用于向所述基板保持机构所保持的基板的主面喷出蚀刻液的喷出口；喷嘴体移动机构，使所述喷嘴体向规定的前进方向移动，使得蚀刻液在所述主面上的着落位置移动；第一片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与比蚀刻液在所述主面上的着落位置更靠近所述前进方向一侧的区域接触；第二片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与前进方向另一侧的区域接触，其中，所述前进方向另一侧是指，当从蚀刻液在所述主面上的着落位置观察时，与所述前进方向一侧相反的所述前进方向的另一侧。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于对基板的主面实施使用蚀刻液的蚀刻处理的基板处理装 置和基板处理方法。成为蚀刻处理对象的基板包括如半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、FED (Field Emission Display: 场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板和光掩模 用基板等。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，要对半导体晶片(以下，简称为"晶片") 进行使用处理液的液处理。这种液处理的一种是向晶片的主面供给蚀刻液而 进行的蚀刻处理。这里所说的蚀刻处理除了包括用于在晶片的主面(晶片本 身或者在晶片上形成的薄膜)上形成图形的蚀刻处理外，还包括利用蚀刻作 用除去晶片主面的异物的清洗处理。作为用于利用处理液对晶片的主面实施处理的基板处理装置，有对多个 晶片统一实施处理的批量式的基板处理装置和对晶片一个一个地处理的单张 式的基板处理装置。单张式的基板处理装置例如具有旋转卡盘， 一边将晶 片保持为近似水平姿势一边使其旋转；处理液喷嘴，向该旋转卡盘所保持的 晶片的主面供给处理液；喷嘴移动机构，使该处理液喷嘴在晶片上移动。例如，在要对晶片上形成有器件的器件形成面实施蚀刻处理时，使器件 形成面朝上将晶片保持在旋转卡盘上。然后，从处理液喷嘴向通过旋转卡盘 旋转的晶片的上表面喷出蚀刻液，并且通过喷嘴移动机构移动处理液喷嘴。 随着处理液喷嘴的移动，蚀刻液在晶片的上表面上的着落位置移动。通过使 该着落位置在晶片的上表面的旋转中心和周边区域之间扫描，从而能够使蚀 刻液遍布在晶片上表面的整个区域(例如，参照日本特开2007-88381号公报)。但是，供给到晶片的上表面的中央部的蚀刻液受到晶片旋转的离心力的 作用，在晶片的上表面沿着旋转半径方向向外方移动。因此，向该晶片的上 表面的周边区域除了提供有来自处理液喷嘴的蚀刻液，还提供有从上表面的中央部移动至该周边区域的蚀刻液，所以向晶片的上表面的周边区域供给有 过量的蚀刻液。因此，晶片的上表面的周边区域的蚀刻速率比中央部高，在 晶片的上表面内产生处理不匀。另外，从处理液喷嘴所喷出的蚀刻液在刚刚供给到晶片的上表面后保持 着活性的状态，但随着时间变化而失活。并且，若在晶片的上表面不能良好 置换蚀刻液，则晶片的上表面上的失活的蚀刻液和新的蚀刻液混合，蚀刻液 的蚀刻能力下降。其结果是，有可能导致晶片的整个上表面的蚀刻速率降低。特别是，在对硅晶片的主面本身实施蚀刻处理时，晶片的上表面上的对 蚀刻液的疏液性高，从而易于在晶片的上表面滞留蚀刻液，形成厚的液膜。 因此，存在难以置换为新的蚀刻液的问题。对硅晶片的主面本身进行蚀刻的蚀刻反应是放热反应，在该蚀刻处理中， 晶片的上表面温度变得非常高，因此更加促进蚀刻处理。但是，若在晶片的 上表面形成厚的液膜，则该液膜从晶片吸热，晶片的上表面温度降低。由此， 导致蚀刻速率进一步地降低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供能够对基板的整个主面实施高速率且均匀的蚀刻处 理的。本专利技术的基板处理装置包括基板保持机构，用于保持基板；喷嘴体， 具有用于向所述基板保持机构所保持的基板的主面喷出蚀刻液的喷出口 ；喷 嘴体移动机构，使所述喷嘴体向规定的前进方向移动，使得蚀刻液在所述主 面上的着落位置移动；第一片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与比 蚀刻液在所述主面上的着落位置更靠近所述前进方向 一侧(前进方向前方侧) 的区域接触；第二片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与前进方向另 一侧(前进方向后方侧)的区域接触，其中，所述前进方向另一侧是指，当 从蚀刻液在所述主面上的着落位置观察时，与所述前进方向一侧相反的所述 前进方向的另一侧。根据该结构，通过喷嘴体移动机构移动喷嘴体，从而蚀刻液在基板的主 面上的着落位置移动。随着喷嘴体的移动，第一片材一边与基板主面上的着 落位置的前进方向一侧区域接触一边移动。另外，随着喷嘴体的移动，第二5片材一边与主面上的着落位置的前进方向另 一侧区域接触一边移动。在将第一片材作为前头使喷嘴体移动时，基板主面上的失活的蚀刻液由 该第一片材排除。然后，向第一片材通过后的基板的主面上供给来自喷出口 的新的蚀刻液。因在第一片材之后通过的第二片材的移动使着落在基板的主 面上的新的蚀刻液均匀。其结果是，能够在基板主面的整个区域形成薄且厚 度均匀的蚀刻液的液膜。因为在基板主面的整个区域形成新的蚀刻液的液膜，所以能够向主面的 整个区域均匀地供给蚀刻液。由此，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。另外，因为向失活的蚀刻液排除后的基板的主面供给新的蚀刻液，所以 能够防止或者抑制新的蚀刻液和失活的蚀刻液混合。因而，能够防止在基板 的主面上形成蚀刻能力较低的蚀刻液的液膜，由此，能够提高蚀刻处理的速 率。由上所述，能够对基板主面的整个区域实施高速率且均匀的蚀刻处理。优选所述第一片材和所述第二片材设置成，随着所述喷嘴体借助所述喷 嘴体移动机构的移动，能够与所述主面的整个区域接触。根据该结构，能够使第一片材和第一片材接触基板主面的整个区域。因 此，能够在基板的主面的整个区域排除失活的蚀刻液，并且能够在基板的主 面的整个区域形成薄并且厚度均匀的新的蚀刻液的液膜。具体的说，在所述基板保持机构所保持的基板是圆形基板时，所述第一 片材和第一片材也可以是具有比所述圆形基板的直径大的片材长度(与基板 主面平行方向的长度)的片材。所述第一片材和所述第二片材沿着与所述前进方向垂直的方向安装在所 述喷嘴体上。优选所述喷出口包括沿着规定的开口方向呈直线状开口的狭缝喷出口 ， 所述第二片材沿着所述规定的开口方向安装在所述喷嘴体上。根据该结构，向基板的主面喷出规定方向上有宽度的带状的蚀刻液。该 带状蚀刻液被沿相同方向的第二片材均匀化，因此即使来自喷嘴体的喷出口 的蚀刻液的喷出流量比较少，也能够在基板的主面的整个区域遍布蚀刻液。 由此，能够一边减少蚀刻液的使用流量， 一边对基板的主面实施良好的蚀刻 处理。优选所述喷嘴体移动机构使所述喷嘴体向所述前进方向移动，直到所述6第二片材与基板的所述主面不接触为止。根据该结构，随着喷嘴体向前进方向移动，能够使第一片材和第二片材 接触基板主面的整个区域。由此，能够对基板主面的整个区域实施高速率并 且均匀的蚀刻处理。优选在所述第一片材和所述第二片材上形成有多个通过孔，所述多个通 过孔能够使供给到所述主面上的蚀刻液通过。根据该结构，与第一片材接触的蚀刻液的一部分通过多个通过孔残留在 基板的主面上。另外，与第一片材接触的蚀刻液的一部分通过小孔残留在基 板的主面上。因此，能够防止第一片材或者第一片材刚通过后的基板主面的 干燥。通过防止基板主面的干燥，能够防止蚀刻处理中面内均匀性的降低和 蚀刻速率的降低。优选所述基板保持机构包括支撑部，将基板保持为水平姿势；限制面，设置在该支撑部所支撑的基板的主面的侧方，用于阻挡随着所述第一片材一 起移动的蚀刻液。根据该结构，限制面阻挡与第二片材的移动一起移动的蚀刻液。并且， 该限制面所阻挡的蚀刻液给予基板的主面。因此，能够抑制或者防止基板的 主面干燥。由此，能够防止蚀刻处理中面内均匀性的降低和蚀刻速率的降低。优选所述基板保持机构包括对置面，与所述支撑部所支撑的基板的端 面相对；阶梯部，连接该对置面和所述限制本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括： 基板保持机构，用于保持基板； 喷嘴体，具有用于向所述基板保持机构所保持的基板的主面喷出蚀刻液的喷出口； 喷嘴体移动机构，使所述喷嘴体向规定的前进方向移动，使得蚀刻液在所述主面上的着落位 置移动； 第一片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与比蚀刻液在所述主面上的着落位置更靠近所述前进方向一侧的区域接触； 第二片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与前进方向另一侧的区域接触，其中，所述前进方向另一侧是指，当从蚀刻 液在所述主面上的着落位置观察时，与所述前进方向一侧相反的所述前进方向的另一侧。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：滩和成，新居健一郎，
申请(专利权)人：大日本网屏制造株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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