处理处理液的方法和处理基材的设备技术

本发明专利技术提供一种处理处理液的方法和使用它处理基材的设备。该设备包括处理槽、循环管线、旁路管线和过滤器。在该处理槽内提供基材用处理液。该循环管线与该处理槽连接，并经过该循环管线使该处理液循环。该旁路管线从该循环管线的第一位置分支并在该循环管线的第二位置处连接。该过滤器安装于该循环管线在第一位置和第二位置之间的位置处。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种处理用于对半导体基材进行处理的处理液的方法和 一种使用该处理液处理基材的设备，更具体而言，涉及一种具有改善的 处理效率的处理处理液的方法，还涉及一种使用该处理液处理基材的设 备。
技术介绍
半导体存储器或诸如平板显示器等电子器件包括基材。基材可以包 括硅晶片或玻璃基材。在基材上形成有多个导电层图案，在不同的导电 层图案之间还形成有绝缘的介电层图案。经诸如曝光、显影和蚀刻等一 系列处理形成导电层图案或介电层图案。使用在其内含有处理液的处理槽进行一系列处理中的一些。根据目 标处理可以提供多个处理槽。多个处理槽可以是含有相同处理液以进行 相同处理的处理槽，或者是含有不同处理液以进行不同处理的处理槽。 此外，处理槽可以包括含有在使用处理液处理基材之后用于清洁基材的 清洁液的处理槽。然而，在对基材进行处理之前， 一部分处理液被提供到处理槽，并 进行预定的预备操作。例如，仅在高温下进行的特定处理，处理液可以 被加热直至到达所需的温度。这种预备操作延长了处理过程并降低了处 理效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有改善的处理效率的处理处理液的方法。 本专利技术还提供一种使用处理液处理基材的设备。本专利技术的实施例提供处理处理液的方法，所述方法包括向处理槽 提供基材用处理液；和经与所述处理槽连接的循环管线使所述处理液循 环。所述循环包括所述处理液沿所述循环管线移动的主循环；和当所述处理液流过在从所述循环管线的第一位置分支并在第二位置处连接的 旁路管线的同时沿所述循环管线移动的副循环。所述主循环包括在所述 第一位置和所述第二位置之间过滤所述处理液。在本专利技术的其他实施例中，处理处理液的方法包括向处理槽提供 基材用处理液；和经与所述处理槽连接的循环管线使所述处理液循环。 所述循环包括所述处理液沿所述循环管线移动的主循环；和当所述处 理液流过在从所述循环管线的第一位置分支并在第二位置处连接的旁路 管线的同时沿所述循环管线移动的副循环。所述循环在除所述第一位置 和所述第二位置之间的那部分之外的所述循环管线的位置处加热所述处理液。在本专利技术的其他实施例中，处理基材的设备包括处理槽、循环管线、 旁路管线和过滤器。在所述处理槽内提供基材用处理液。所述循环管线 与所述处理槽连接，并经过所述循环管线使所述处理液循环。所述旁路 管线从所述循环管线的第一位置分支并在所述循环管线的第二位置处连 接。所述过滤器安装于所述循环管线在所述第一位置和所述第二位置之 间的位置处。在本专利技术的其他实施例中，处理基材的设备包括处理槽、循环管线、 旁路管线和加热器。在所述处理槽内提供基材用处理液。所述循环管线 与所述处理槽连接，并经过所述循环管线使所述处理液循环。所述旁路 管线从所述循环管线的第一位置分支并在所述循环管线的第二位置处连 接。所述加热器安装在除所述第一位置和所述第二位置之间的那部分之 外的所述循环管线的位置处。附图说明附图用于进一步理解本专利技术，其并入本说明书中并构成它的一部分。 附图阐明本专利技术的示例性实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原 理。在附图中图1是根据本专利技术实施例的处理基材的设备的立体图；图2是图1示出的子处理单元的构造图；图3是图2的子处理单元中的循环部的构造图；图4A和图4B是解释图3的循环管线的操作过程的示图；图5是根据本专利技术另一个实施例的图2的子处理单元中的循环部的 构造图；图6A和图6B是解释图5的循环管线的操作过程的示图；图7是阐明根据本专利技术实施例的处理处理液的方法的流程图；以及图8是阐明图7的处理液循环操作的详细操作的流程图。具体实施方式下面参照附图更详细地描述本专利技术的优选实施例。然而，本专利技术可 以体现为不同形式，并且不应当认为本专利技术受限于在此提出的实施例。 相反，提供这些实施例是为了使本专利技术的公开内容清楚和完整，并向本 领域技术人员全面地表达本专利技术的范围。图1是根据本专利技术实施例的处理基材的设备的立体图。参照图1，基材处理设备包括装载端10、转移单元20和处理单元 30。在装载端10上装载或卸载诸如半导体晶片等基材。使用盒子11可 以在装载端10同时装载和卸载多个晶片。转移单元20从装载端10接收 晶片并将晶片转移到处理单元30。转移晶片的转移自动装置(图未示)设 在转移单元20的下端。处理单元30处理从转移单元20转移来的晶片。处理单元30包括多 个子处理单元。即，处理单元30包括第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33。如有必要，处理单元30还可以包括除第一 子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33之外的附加子 处理单元。可选择地，可以省去处理单元30的第一子处理单元31、第二 子处理单元32和第三子处理单元33中的一些。第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33均可 以包括含有用于对晶片进行各种处理的处理液的处理槽。例如，这种处 理可以是蚀刻、清洁和干燥。在蚀刻、清洁和干燥过程中，HF、 H2S04、 去离子水、异丙醇等各种溶液可以用作处理液。第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33的各 处理槽中所含的处理液可以是进行相同处理的相同处理液。可选择地， 第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33的各处理 槽中所含的处理液可以是进行相同处理的成分彼此不同的处理液。可选 择地，第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33的 各处理槽中所含的处理液可以是进行不同处理的成分彼此不同的处理 液。在对基材进行处理之前需要对处理液进行预备处理。例如，需要预 备处理向处理槽提供处理液，从而用处理液填充处理槽。此外，针对特 定的处理液，仅在高温下进行处理。为此，需要将处理液加热到高温的 预备处理。此外，当在进行处理的同时处理液的成分改变时，需要更换 处理液，并且在更换后，需要相同的预备处理。当完成处理液的预备处 理时，盒子11中所含的晶片通过转移自动装置转移到处理单元30，从而 进行所需的处理。目标晶片被连续地转移，并且处理完的晶片被转移到 外部。如上所述，处理液的预备处理在整个晶片处理中占用了相当部分。 因此，随着预备处理占用时间的增加，晶片在装载端10备用，从而整个 处理时间延长，处理效率降低。在本实施例中，第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子 处理单元33中的每一个均可以最小化处理液的预备时间，从而防止处理 延时。下面，通过第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33中的一个来说明防止处理延时的结构。然而，以下结构不必须适 用于全部的多个子处理单元。即，在多个子处理单元的一些中，处理液 的预备处理不会占用过多时间，以下结构不适用于这种子处理单元。图2是图1示出的子处理单元的构造图。参照图2，子处理单元包括处理槽100、供应部200和循环部300。 在处理槽100内对诸如晶片W等半导体基材进行处理。供应部200向处 理槽100提供处理液。循环部300使提供的处理液循环到处理槽100。具体而言，处理槽IOO包括内槽111和外槽112。内槽111具有敞开 的上部，使得可从上方接收处理液。内槽111的底部中形成有排出孔(图 未示)，用于排出处理液。外槽112包围着内槽111的外侧，用于容纳从 内槽111本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理处理液的方法，所述方法包括：　向处理槽提供基材用处理液；和　经与所述处理槽连接的循环管线使所述处理液循环，　使所述处理液循环包括：　所述处理液沿所述循环管线移动的主循环；和　当所述处理液流过在从所述循环管线的第一位置分支并在第二位置处连接的旁路管线的同时沿所述循环管线移动的副循环，　其中所述主循环包括在所述第一位置和所述第二位置之间过滤所述处理液。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李升浩，朴贵秀，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]