【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子器件领域，是一种独特的结构设计。本专利技术所涉及的"一种超低压保护器件的结构设计"是一种独特的低压器件结构，利用高浓度薄外延层及阻挡层，将二极管的反向击穿电压控制在1.5 5.0v 之间，且漏电流小于luA在电子设备中应用，功耗极小，将广泛应用于手机、MP3、 数码像机、PDA、录音机等通讯产品中，其平面工艺的设计，有利于集成和小 型化。
技术介绍
利用常规的雪崩击穿机理，制定半导体保护器件，通常电压在5.0V以上， 而随着通讯领域的不断发展，保护电压越来越低，从1.5V到5.0V的应用领域， 越来越多。而传统的低压保护二极管采用铝合金工艺(图1)，或者多晶硅掺杂 工艺(图2)，其反向击穿特性很软，漏电流极大，在1.5V 5.0V范围内漏电流 一般都大于几百个微安，甚至更大。无法应用于功耗要求很小的手持通讯设备 领域。
技术实现思路
上述已知的低压器件，通常除了击穿特性差，漏电流大以外，击穿电压的离散性很大。为了降低成本，方便控制所要求的击穿电压，专利技术了本专利技术之超低压保护 器件结构及工艺。本专利技术是如下技术实现的如(图3)在N型或者P型...
【技术保护点】
一种超低压保护器件的结构设计，及制造方法。在衬底１层，通过注入，扩散或外延形成预定的杂质浓度和厚度的异型掺杂层２，再通过隔离、有源区掺杂，阻挡层生成淀积金属，形成本专利技术结构。
【技术特征摘要】
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