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小于５Ｖ的低压保护器件通常用铝合金结工艺，或者多晶掺杂工艺形成浅结低压工艺，但所制造的器件由于漏电流大，导致应用中的设备功耗增加。本发明采用Ｐ型或Ｎ型单晶抛光片，通过异型掺杂或外延，形成Ｐ（Ｎ）－Ｎ（Ｐ）结构，通过隔离及在有源区注入或扩散，...
该专利属于淮永进所有，仅供学习研究参考，未经过淮永进授权不得商用。

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