【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种阻抗随机存储器件,包括: 下电极接触,其包括至少一个纳米碳管;及 二元氧化层,在该下电极接触的上方形成,并且依据该二元氧化层至少两个不同的阻抗状态而储存信息。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄允泽,
申请(专利权)人:海力士半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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