具有纳米碳管的阻抗随机存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术揭示了阻抗随机存储器件（ＲｅＲＡＭ）及其制造方法。该阻抗随机存储器件能展现出改进的设置阻抗分布和重置阻抗分布。该阻抗随机存储器件包括下电极接触和二元氧化层，该下电极接触至少有一个纳米碳管；该二元氧化层在该下电极接触的上方形成。该二元氧化层用于依据其二种不同的阻抗状态而储存信息。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种阻抗随机存储器件，包括：　下电极接触，其包括至少一个纳米碳管；及　二元氧化层，在该下电极接触的上方形成，并且依据该二元氧化层至少两个不同的阻抗状态而储存信息。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄允泽，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]