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本发明揭示了阻抗随机存储器件（ＲｅＲＡＭ）及其制造方法。该阻抗随机存储器件能展现出改进的设置阻抗分布和重置阻抗分布。该阻抗随机存储器件包括下电极接触和二元氧化层，该下电极接触至少有一个纳米碳管；该二元氧化层在该下电极接触的上方形成。该二元氧...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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