应用于结构式特定用途集成电路的电源架构制造技术

一种电源架构，应用于结构式特别应用集成电路。此电源架构包括第一导体以及第二导体。第一导体耦接于固定电压，至少通过电路单元的两个边缘。第二导体与第一导体经由接触窗互相连接。第二导体最多通过上述电路单元的一个边缘。上述结构式特别应用集成电路包括第一金属层以及第二金属层，第一金属层包括第一导体，第二金属层包括第二导体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及结构式特别应用集成电路(structural application-specific integrated circuit,简称为structural ASIC ),且特别涉及一种应用于结构式特 别应用集成电路的电源架构。
技术介绍
一般的特别应用集成电路(ASIC)没有固定结构，每一个层面(layer)的掩 模(mask)都能任意设计，结构式特别应用集成电路则不同。图l绘示一个传 统结构式特别应用集成电路100的部分结构。图1下方有一个金属氧化物半 导体场岁文晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor, 简称MOS 晶体管)，包括P型基板(substrate) 105、 N型阱(N-well) 103 、 104、以及栅极 (gate)的绝缘层102。上方有三个金属层121-123经由接触窗(contact) 111连 接MOS晶体管。结构式特别应用集成电路的特色是有些层面固定不能改变，而其他层面 可供用户自行设计或变更。例如结构式特别应用集成电路100，其金属层123 之下的所有层面固定不变，而金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源架构，应用于结构式特别应用集成电路，该电源架构包括：　第一导体，耦接于固定电压，至少通过电路单元的两个边缘；以及　第二导体，与该第一导体经由一接触窗互相连接，最多通过该电路单元的一个边缘；　其中该结构式特别应用集成电路包括第一金属层以及第二金属层，该第一金属层包括该第一导体，该第二金属层包括该第二导体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴长余，古明鑫，谢尚志，王心石，
申请(专利权)人：智原科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]