半导体集成电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体集成电路装置。能在配置了虚设过孔体的半导体集成电路装置中，抑制在虚设过孔体上连接了虚设布线的存在引起的设计简单性的下降或制造成本增大的问题。半导体集成电路装置具有基板（１）和形成在基板（１）上的３层以上的布线层（２ａ～２ｃ）。在布线层（２ａ、２ｂ）之间形成虚设过孔体（１１），在布线层（２ｂ）上形成与虚设过孔体（１１）连接的虚设布线（１２）。虚设布线（１２）与形成在叠层过孔结构（２０）的布线层（２ｂ）上的中间布线（２４）相比，突出量更小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有多层布线层的半导体集成电路装置的布线结构。
技术介绍
在半导体制造工艺中，由于微细化的进展，在多层布线结构中，为了提高过孔体(viahole)形成时的均一性，使用配置虚设过孔体(dummyhole) 的技术。即，作为布局设计时的设计规则，规定用于保证平坦化的过孔体 密度物理条件，配置虚设过孔体以满足该密度物理条件。通过虚设过孔体 的配置，避免通常的过孔体孤立，实现装置表面的平坦化。在专利文献1中公开了高效地配置虚设过孔体的技术的例子。专利文献h特开2007-305713号公报配置虚设过孔体时，由于制造工艺或者布局设计上的理由，有必要一 并形成在该虚设过孔体上连接的虚设布线。例如，具有如双嵌入(dual damascene)法那样，同时形成过孔体和连接在该过孔体上的布线的制造 工艺。此外，当前的EDA工具的多数把过孔体和连接在该过孔体上的布 线视为一个零件，进行自动配置。可是，该虚设布线占据的面积有可能对本来必要的信号布线等布线布 局带来影响。例如，由于在信号布线密集的地方难以原封不动地配置虚设 布线，所以有必要采取使通过密集地方的一部分布线迂回，或者为了缓和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路装置，具有基板和形成在所述基板上的３层以上的布线层，其特征在于，　包括：虚设过孔体，形成在所述３层以上的布线层中相邻的２个布线层，即第一和第二布线层之间；　虚设布线，形成在所述第二布线层上，与所述虚设过孔体连接 ；以及　至少一个叠层过孔结构，形成在所述３层以上的布线层上，具有形成在所述第二布线层上的中间布线，　所述虚设布线与任意的所述叠层过孔结构的所述中间布线相比，突出量更小。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：近藤英明，深泽浩公，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]