一种氮化硅压力烧结炉高压进气结构制造技术

技术编号:37682567 阅读:15 留言:0更新日期:2023-05-28 09:36
本实用新型专利技术涉及一种氮化硅压力烧结炉高压进气结构,其包括:壳体、恒温箱、脱蜡管和加热组件。恒温箱设于壳体内。脱蜡管穿设于壳体和恒温箱上,连通壳体外和恒温箱内,脱蜡管上设有进气口,且进气口位于壳体外,进气口用于向恒温箱内供气。加热组件包括导流条组件、发热体和电极组件,导流条组件环设于壳体和恒温箱之间,发热体设置在导流条组件上,电极组件穿设于壳体上,电极组件的两端分别为接线端和加热端,接线端位于壳体外,加热端连接于导流条组件。高压气体可以直接通过脱蜡管上的进气口输送到恒温箱内,避免高压气体与导流条、发热体产生过多接触而引发严重的冲刷和腐蚀问题。从而延长导流条和发热体的使用寿命,提高生产效率。生产效率。生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅压力烧结炉高压进气结构


[0001]本技术涉及运输设备领域,具体而言,涉及一种氮化硅压力烧结炉高压进气结构。

技术介绍

[0002]压力烧结炉适用于氮化硅、硬质合金、特种陶瓷等材料在高压氮气气氛内进行烧结。有利于增加材料的烧结密度,提高材料的机械性能。
[0003]氮化硅压力烧结炉包括壳体、设于壳体内的恒温箱以及位于壳体和恒温箱之间的保温层。目前进气结构是从炉壁侧面的进气口打入高压气体,具体地,壳体的侧壁上穿设有进气管,保温层上穿设有电极,其中电极与保温层之间具有缝隙供高压气体通过,恒温箱上设有气孔。高压气体从进气管进入到壳体和保温层之间,再通过电极与保温层之间的缝隙进入到保温层与恒温箱之间,最后通过气孔进入到恒温箱内。然而,在保温层与恒温箱之间还设有石墨导流条和发热棒,高压气体在进入恒温箱之前会与石墨导流条、发热棒产生接触。由于氮化硅烧结温度在1750

1800℃之间,介质为高压氮气,氮气含水量相对偏多,高压氮气通过电极与保温层之间的缝隙进入保温层与恒温箱之间的空间,导致电极与保温层之间的缝隙处的石墨导流条和发热棒出现严重的冲刷和腐蚀问题,从而需要频繁替换石墨导流条和发热棒,增加了生产成本并且影响生产效率。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种氮化硅压力烧结炉高压进气结构,能够避免烧结炉中的导流条和发热棒的腐蚀问题,降低成本,提高生产效率。
[0005]为解决上述技术问题,本技术采用如下技术方案:
[0006]本技术提供一种氮化硅压力烧结炉高压进气结构,该氮化硅压力烧结炉高压进气结构包括:壳体;恒温箱,设于所述壳体内;加热组件,包括:导流条组件,环设于所述壳体和所述恒温箱之间;发热体,设置在所述导流条组件上;电极组件,其两端分别为接线端和加热端,所述接线端位于所述壳体外,所述加热端连接于所述导流条组件;脱蜡管,穿设于所述壳体和所述恒温箱上,并位于所述导流条组件一侧,所述脱蜡管连通所述壳体外和所述恒温箱内,所述脱蜡管上设有进气口,且所述进气口位于所述壳体外,所述进气口用于向所述恒温箱内供气。
[0007]本申请一些实施例,所述脱蜡管连通所述恒温箱的开口为排蜡口;所述排蜡口位于所述恒温箱的底部。
[0008]本申请一些实施例,所述脱蜡管沿竖向延伸;所述脱蜡管的上端连通所述恒温箱;所述脱蜡管的下端连通所述壳体外;所述进气口开设于所述脱蜡管下端的侧壁上。
[0009]本申请一些实施例,所述脱蜡管包括管身和环部;所述管身沿竖向延伸;
[0010]所述环部环设连接于所述管身的上端;所述恒温箱底部设有连通口;所述管身穿设于所述连通口内;所述环部贴合于所述恒温箱的底部,并封闭所述管身和所述连通口之
间的间隙。
[0011]本申请一些实施例,所述高压进气结构还包括沿横向延伸的进气管,且所述进气管的一端连接于所述进气口,所述进气管通过所述进气口向所述恒温箱内供气。
[0012]本申请一些实施例,所述导流条组件包括多个导流条;多个所述导流条首尾相对,并呈环状间隔地排列,所述导流条设有电极连接部,所述电极组件的加热端连接于所述电极连接部。
[0013]本申请一些实施例,所述导流条组件设有多个,并沿恒温箱轴向呈平行间隔布置。
[0014]本申请一些实施例,所述发热体设有多个,所述导流条设有多个呈周向间隔设置的穿孔,所述发热体穿设于所述穿孔。
[0015]本申请一些实施例,所述导流条和所述发热体均由石墨材料制成。
[0016]本申请一些实施例,所述高压进气结构还包括承载组件,所述承载组件包括支撑杆和导轨;所述支撑杆的一端连接于所述壳体,另一端连接于所述导轨;所述恒温箱设有与所述导轨对应的滑轮,所述恒温箱通过所述滑轮可滑动地承放在所述导轨上。
[0017]由上述技术方案可知,本技术实施例至少具有如下优点和积极效果:
[0018]本技术实施例的氮化硅压力烧结炉高压进气结构中,脱蜡管穿设于壳体上,连通壳体外和恒温箱内,脱蜡管上设有用于向恒温箱内供气的进气口。从而高压气体可以直接通过脱蜡管上的进气口输送到恒温箱内,避免了高压气体与导流条、发热体产生过多接触而引发严重的冲刷和腐蚀问题,延长了导流条和发热体的使用寿命,因此不需要频繁替换导流条和发热体,降低生产成本并且提高了生产效率。并且,脱蜡管既能够用于排蜡也能够向炉体内送气,不需要额外在壳体上再开设进气口,简化了烧结炉的制造工序,并且使烧结炉具有更好的密闭性。
附图说明
[0019]图1是本技术一实施例的氮化硅压力烧结炉高压进气结构的剖视图。
[0020]图2是图1中的恒温箱的剖面图。
[0021]图3是图1中的脱蜡管及进气管的侧视图。
[0022]图4是图1中的导流条组件的侧视图。
[0023]图5是图1中的加热组件的剖视图。
[0024]附图标记说明如下:1、壳体;2、恒温箱;21、连通口;22、滑轮;3、加热组件;31、导流条组件;310、导流条;300、穿孔;301、电极连接部;311、第一导流条;312、第二导流条;313、第三导流条;32、发热体;33、电极组件;4、脱蜡管;41、进气口;42、排蜡口;43、管身;44、环部;5、进气管;6、承载组件;61、支撑杆;62、导轨;7、保温层;8、绝缘件。
具体实施方式
[0025]尽管本技术可以容易地表现为不同形式的实施例,但在附图中示出并且在本说明书中将详细说明的仅仅是其中一些具体实施例,同时可以理解的是本说明书应视为是本技术原理的示范性说明,而并非旨在将本技术限制到在此所说明的那样。
[0026]由此,本说明书中所指出的一个特征将用于说明本技术的一个实施例的其中一个特征,而不是暗示本技术的每个实施例必须具有所说明的特征。此外,应当注意的
是本说明书描述了许多特征。尽管某些特征可以组合在一起以示出可能的系统设计,但是这些特征也可用于其他的未明确说明的组合。由此,除非另有说明,所说明的组合并非旨在限制。
[0027]在附图所示的实施例中,方向的指示(诸如上、下、左、右、前和后)用于解释本技术的各种元件的结构和运动不是绝对的而是相对的。当这些元件处于附图所示的位置时,这些说明是合适的。如果这些元件的位置的说明发生改变时,则这些方向的指示也相应地改变。
[0028]以下结合本说明书的附图,对本技术的较佳实施例予以进一步地详尽阐述。
[0029]请参阅图1,图1是本技术一实施例的氮化硅压力烧结炉高压进气结构的剖视图。本技术一实施例提供的氮化硅压力烧结炉高压进气结构包括壳体1、恒温箱2、加热组件3和脱蜡管4。
[0030]恒温箱2设于壳体1内。恒温箱2内的空间用于承放氮化硅、硬质合金、特种陶瓷等待烧结物。
[0031]脱蜡管4穿设于壳体1和恒温箱2上,连通壳体1外和恒温箱2内,脱蜡管4上设有进气口41,且本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅压力烧结炉高压进气结构,其特征在于,包括:壳体;恒温箱,设于所述壳体内;加热组件,包括:导流条组件,环设于所述壳体和所述恒温箱之间;发热体,设置在所述导流条组件上;电极组件,其两端分别为接线端和加热端,所述接线端位于所述壳体外,所述加热端连接于所述导流条组件;脱蜡管,穿设于所述壳体和所述恒温箱上,并位于所述导流条组件一侧,所述脱蜡管连通所述壳体外和所述恒温箱内,所述脱蜡管上设有进气口,且所述进气口位于所述壳体外,所述进气口用于向所述恒温箱内供气。2.根据权利要求1所述的氮化硅压力烧结炉高压进气结构,其特征在于,所述脱蜡管连通所述恒温箱的开口为排蜡口;所述排蜡口位于所述恒温箱的底部。3.根据权利要求2所述的氮化硅压力烧结炉高压进气结构,其特征在于,所述脱蜡管沿竖向延伸;所述脱蜡管的上端连通所述恒温箱;所述脱蜡管的下端连通所述壳体外;所述进气口开设于所述脱蜡管下端的侧壁上。4.根据权利要求3所述的氮化硅压力烧结炉高压进气结构,其特征在于,所述脱蜡管包括管身和环部;所述管身沿竖向延伸;所述环部环设连接于所述管身的上端;所述恒温箱底部设有连通口;所述管身穿设于所述连通口内;所述环部贴合于所述恒温箱的底部,并封闭所述管身和所述连通口之间的间隙。5...

【专利技术属性】
技术研发人员:王荣凯
申请(专利权)人:厦门通耐钨钢有限公司
类型:新型
国别省市:

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