具有增强回转率的输出缓冲电路制造技术

本发明专利技术是有关于一种具有增强回转率的输出缓冲电路，第一、第二回转率增强晶体管用以增强输出级的来源晶体管、汲取晶体管的回转率。当处于稳态时，第一、第二控制电路分别关闭第一、第二回转率增强晶体管；当处于转态时，则分别开启第一、第二回转率增强晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种缓冲放大器，特别是涉及一种显示面板源极驱动器的低功率、高速输出缓冲电路。
技术介绍
由于平面显示器(例如液晶显示器)解析度的逐渐增高，使得上千的输出缓冲放 大器或缓冲电路必须制造于驱动集成电路内。为了在驱动集成电路内可以容纳这么多的缓 冲放大器，因此必须减少每一缓冲放大器的面积，且必须降低每一缓冲放大器消耗的功率， 特别是稳态(static)消耗功率。再者，鉴于大型显示面板中每一行(column)具有相当大 的时间常数(time constant)，为了提供足够的驱动能力来驱动此大型面板，因此必须具有 较小的稳定(settling)时间或者较大的回转率(slew rate)。简单来说，对于高解析度的 大型显示面板而言，低功率、高速的输出缓冲电路是不可或缺的。由此可见，上述现有的输出缓冲电路无法有效提供低消耗功率的高驱动能力，而 亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道， 但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问 题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的具有增强回转率的低 功率、高速输出输出缓冲电路，以适用于高解析度/大型显示面板实属当前重要研发课题 之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的输出缓冲电路存在的缺陷，而提供一种新型的具 有增强回转率的输出缓冲电路，所要解决的技术问题是使其有效地对平面显示器的驱动电 路提供高驱动能力，非常适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术 提出的一种具有增强回转率(slew rate)的输出缓冲电路，包含一输出级，包含一来源 (source)晶体管(即电晶体，本文均称为晶体管)及一汲取(sink)晶体管，用以驱动一 负载；一第一回转率增强晶体管，用以增强该来源晶体管及汲取晶体管其中一个的回转率； 一第二回转率增强晶体管，用以增强该来源晶体管及汲取晶体管其中另一个的回转率；一 第一控制电路，用以控制该第一回转率增强晶体管；以及一第二控制电路，用以控制该第二 回转率增强晶体管；其中，当处于稳态时，该第一控制电路、第二控制电路分别关闭该第一 回转率增强晶体管、第二回转率增强晶体管；当处于转态时，则分别开启该第一回转率增强 晶体管、第二回转率增强晶体管。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其更包含一输入级，其包含至少一差动 对(differential pair)，用以接收一输入信号。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种具有增强回转率(slew rate)的输出缓冲电路，包含一输入级，用以接收一输入信 号；一输出级，包含一来源(source)晶体管及一汲取(sink)晶体管，用以驱动一负载；一 第一回转率增强晶体管，用以增强该汲取晶体管的电流汲取能力；一第二回转率增强晶体 管，用以增强该来源晶体管的电流提供能力；一第一控制电路，用以控制该第一回转率增强 晶体管；以及一第二控制电路，用以控制该第二回转率增强晶体管；其中，当处于稳态时， 该第一控制电路、第二控制电路分别关闭该第一回转率增强晶体管、第二回转率增强晶体 管；当处于高至低转态时，该第一控制电路开启该第一回转率增强晶体管；当处于低至高 转态时，该第二控制电路开启该第二回转率增强晶体管。 本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的输入级包含至少一差动对 (differential pair)0前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的第一回转率增强晶体管为P 型金氧半导体晶体管(PMOS)，其漏极(即汲极，本文均称为漏极)连接并控制该汲取晶体管 的栅极；当处于高至低转态时，该开启的第一回转率增强晶体管开启该汲取晶体管，因而自 该负载汲取电流。前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的第一控制电路包含一 ρ型金 氧半导体晶体管(PMOS)，其宽度被设计使得该ρ型金氧半导体晶体管(PMOS)在稳态时，其 漏极电位足够高而关闭该第一回转率增强晶体管；当处于高至低转态时，该P型金氧半导 体晶体管(PMOS)的漏极电位足够低而开启该第一回转率增强晶体管。前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的第二回转率增强晶体管为ρ 型金氧半导体晶体管(PMOS)，其漏极连接并控制该输出级的输出节点；当处于低至高转态 时，该开启的第二回转率增强晶体管提供电流至该负载。前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的第二控制电路包含一 ρ型金 氧半导体晶体管(PMOS)，其宽度被设计使得该ρ型金氧半导体晶体管(PMOS)在稳态时，其 漏极电位足够高而关闭该第二回转率增强晶体管；当处于低至高转态时，该P型金氧半导 体晶体管(PMOS)的漏极电位足够低而开启该第二回转率增强晶体管。本专利技术的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提 出的一种具有增强回转率(slew rate)的输出缓冲电路，包含一输入级，用以接收一输入 信号；一输出级，包含一来源(source)晶体管及一汲取(sink)晶体管，用以驱动一负载； 一第一回转率增强晶体管，用以增强该来源晶体管的电流提供能力；一第二回转率增强晶 体管，用以增强该汲取晶体管的电流汲取能力；一第一控制电路，用以控制该第一回转率 增强晶体管；以及一第二控制电路，用以控制该第二回转率增强晶体管；其中，当处于稳态 时，该第一控制电路、第二控制电路分别关闭该第一回转率增强晶体管、第二回转率增强晶 体管；当处于低至高转态时，该第一控制电路开启该第一回转率增强晶体管；当处于高至 低转态时，该第二控制电路开启该第二回转率增强晶体管。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的输入级包含至少一差动对 (differential pair)0前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的第一回转率增强晶体管为η型金氧半导体晶体管(NMOS)，其漏极连接并控制该来源晶体管的栅极(即闸极，本文均称 为栅极)；当处于低至高转态时，该开启的第一回转率增强晶体管开启该来源晶体管，因而 提供电流至该负载。前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的第一控制电路包含一 η型金 氧半导体晶体管(NMOS)，其宽度被设计使得该η型金氧半导体晶体管(NMOS)在稳态时，其 漏极电位足够低而关闭该第一回转率增强晶体管；当处于低至高转态时，该η型金氧半导 体晶体管(NMOS)的漏极电位足够高而开启该第一回转率增强晶体管。前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的第二回转率增强晶体管为η 型金氧半导体晶体管(NMOS)，其漏极连接并控制该输出级的输出节点；当处于高至低转态 时，该开启的第二回转率增强晶体管自该负载汲取电流。前述的具有增强回转率的输出缓冲电路，其中所述的第二控制电路包含一 η型金 氧半导体晶体管(NMOS)，其宽度被设计使得该η型金氧半导体晶体管(NMOS)在稳态时，其 漏极电位足够低而关闭本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有增强回转率的输出缓冲电路，其特征在于其包含：一输出级，包含一来源晶体管及一汲取晶体管，用以驱动一负载；一第一回转率增强晶体管，用以增强该来源晶体管及汲取晶体管其中一个的回转率；一第二回转率增强晶体管，用以增强该来源晶体管及汲取晶体管其中另一个的回转率；一第一控制电路，用以控制该第一回转率增强晶体管；以及一第二控制电路，用以控制该第二回转率增强晶体管；其中，当处于稳态时，该第一控制电路、第二控制电路分别关闭该第一回转率增强晶体管、第二回转率增强晶体管；当处于转态时，则分别开启该第一回转率增强晶体管、第二回转率增强晶体管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡然，刘邦荣，姜俊平，吴宗佑，
申请(专利权)人：奇景光电股份有限公司，陈怡然，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]