嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法技术

本申请提供一种嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法，包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底上形成氧化层；步骤S2，在氧化层上形成具有选择栅结构区域图案的掩膜层后，对衬底实施离子注入；步骤S3，去除露出的氧化层；步骤S4，去除掩膜层后，形成选择栅结构区域的栅氧化层。采用原位水汽生长工艺形成选择栅结构区域的栅氧化层，实现了选择栅结构区域的栅氧化层的独立制备，提高了选择栅控制漏电的能力，降低了漏电和功耗。降低了漏电和功耗。降低了漏电和功耗。

【技术实现步骤摘要】
嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法。

技术介绍

[0002]非易失性存储器作为计算机中必不可少的存储设备，对所处理的信息起着重要的存储功能。其中，基于绝缘性能优异的氮化硅存储介质的SONOS(Silicon
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Oxide
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Nitride
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Oxide
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Silicon)存储器以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而受到重视。SONOS器件用具有电荷陷阱能力的氮化硅层取代原有的多晶硅存储电荷层，由于其用陷阱电荷存储电荷，所以存储的电荷是离散分布的。这样一个泄漏通道不会引起大的泄漏电流，因此可靠性大大提高。
[0003]嵌入式SONOS(Silicon
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Oxide
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Nitride
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Oxide
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Silicon)闪存是基于现有逻辑平台将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，提供一衬底，在所述衬底上形成氧化层；步骤S2，在所述氧化层上形成具有选择栅结构区域图案的掩膜层后，对所述衬底实施离子注入；步骤S3，去除露出的所述氧化层；步骤S4，去除所述掩膜层后，形成所述选择栅结构区域的栅氧化层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层为通过炉管快速热氧化形成的氧化层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为100埃
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150埃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述露出的氧化层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的腐蚀液为氢氟酸。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为150:1
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【专利技术属性】
技术研发人员：翟海涛，蔡彬，黄冠群，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：