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本申请提供一种嵌入式SONOS闪存选择栅结构的栅氧化层的形成方法，包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底上形成氧化层；步骤S2，在氧化层上形成具有选择栅结构区域图案的掩膜层后，对衬底实施离子注入；步骤S3，去除露出的氧化层；步骤S4，去除掩膜层...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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