【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成器件封装件
[0001]相关申请的交叉引用和优先权要求
[0002]本申请要求2020年6月30日提交的美国非临时专利申请号16/917,686的优先权，该申请的全部内容通过引用整体并入本文并且用于所有目的。
[0003]本领域涉及集成器件封装件及其形成方法。
技术介绍
[0004]在各种封装件布置中，在例如系统级封装件(SIP)的封装件内布置多个集成器件裸片可能是有利的。例如，一些封装件包括沿着封装件衬底彼此间隔开的不同类型的有源芯片或集成器件裸片。此外，三维(3D)集成技术通常利用封装件，其中两个或更多个集成器件裸片堆叠在彼此的顶部上并且彼此电气地连接。可以在集成器件裸片之上提供模制化合物或包封物，这会在封装件中生成应力。因此，仍然存在对改善的集成器件封装件的持续需求。
附图说明
[0005]从下面对优选实施例和附图的描述中，这些方面和其他方面将变得显而易见，附图意在说明而不是限制本专利技术，在附图中：
[0006]图1A至图1C示意性图示了在各种直接键合工艺中牺牲载体的使用。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成器件封装件：载体；模制化合物，在所述载体的上表面的一部分之上；集成器件裸片，安装到所述载体并且至少部分地嵌入所述模制化合物中，所述集成器件裸片包括有源电路系统；以及应力补偿元件，安装到所述载体并且至少部分地嵌入所述模制化合物中，所述应力补偿元件与所述集成器件裸片间隔开，所述应力补偿元件包括没有有源电路系统的虚设应力补偿元件，其中所述应力补偿元件和所述集成器件裸片中的至少一者在没有粘合剂的情况下直接键合到所述载体。2.根据权利要求1所述的集成器件封装件，其中所述载体包括第二集成器件裸片。3.根据权利要求1所述的集成器件封装件，其中所述载体包括衬底。4.根据权利要求1所述的集成器件封装件，其中所述应力补偿元件的热膨胀系数(CTE)小于约7ppm。5.根据权利要求1所述的集成器件封装件，其中所述模制化合物和所述应力补偿元件在所述集成器件封装件的外侧边缘处暴露。6.根据权利要求5所述的集成器件封装件，还包括沿着所述模制化合物和所述应力补偿元件的暴露侧边缘的单片化标记，所述单片化标记指示单片化过程。7.根据权利要求6所述的集成器件封装件，其中所述单片化标记包括锯切标记。8.根据权利要求5所述的集成器件封装件，其中所述模制化合物的第一暴露侧边缘与所述应力补偿元件的第二暴露侧边缘齐平。9.根据权利要求1所述的集成器件封装件，还包括至少部分地嵌入在所述模制化合物中的多个虚设应力补偿元件，所述多个虚设应力补偿元件没有有源电路系统。10.根据权利要求9所述的集成器件封装件，其中所述多个虚设应力补偿元件中的至少一个虚设应力补偿元件相对于所述集成器件封装件的所述外侧边缘横向插入。11.根据权利要求1所述的集成器件封装件，其中从俯视平面图观察，所述应力补偿元件设置在所述封装件的外侧边缘与所述集成器件裸片之间，使得所述集成器件裸片的至少一个横向侧边缘位于与所述应力补偿元件相交的平面中。12.根据权利要求1所述的集成器件封装件，其中所述集成器件裸片完全地嵌入在所述模制化合物中。13.一种集成器件封装件：模制化合物；集成器件裸片，至少部分地嵌入所述模制化合物中，所述集成器件裸片包括有源电路系统；以及多个虚设应力补偿元件，至少部分地嵌入所述模制化合物中，所述多个虚设应力补偿元件没有有源电路系统，所述多个虚设应力补偿元件通过所述模制化合物彼此间隔开。14.根据权利要求13所述的集成器件封装件，其中所述模制化合物和所述多个应力补偿元件中的至少一个虚设应力补偿元件在所述集成器件封装件的外侧边缘处暴露。15.根据权利要求14所述的集成器件封装件，还包括沿着所述模制化合物和所述至少
一个虚设应力补偿元件的暴露侧边缘的单片化标记，所述单片化标记指示单片化过程。16.根据权利要求13所述的集成器件封装件，其中所述多个虚设应力补偿元件中的至少一个虚设应力补偿元件相对于所述集成器件封装件的外侧边缘横向插入。17.根据权利要求13所述的集成器件封装件，其中所述多个虚设应力补偿元件围绕所述集成器件裸片设置。18.根据权利要求13所述的集成器件封装件，还包括载体、安装到所述载体的所述应力补偿元件和所述集成器件裸片。19.一种形成集成器件封装件的方法，所述方法包...
【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：隔热半导体粘合技术公司，
类型：发明
国别省市：
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