【技术实现步骤摘要】
以下描述涉及集成电路(“ic”)的加工。更具体地说，以下描述涉及用于加工准备结合的管芯或晶圆的技术。
技术介绍
1、管芯或晶圆等可以作为各种微电子封装方案的一部分以三维布置堆叠。这可以包括在较大的基础管芯或晶圆上堆叠一个或多个管芯或晶圆、以竖直布置堆叠多个管芯或晶圆以及这些的各种组合。管芯也可以堆叠在晶圆上，或者晶圆可以在分割之前堆叠在其他晶圆上。管芯或晶圆可以使用各种结合技术以堆叠布置来结合，包括使用直接电介质结合、非粘合技术，诸如直接结合技术或混合结合技术，这两种技术均可从xpericorp的子公司invensas bonding technologies,inc.(以前的ziptronix,inc.)获得(例如，参见美国专利号6,864,585和7,485,968，其以引用方式全文并入本文中)。
2、当使用直接结合技术结合堆叠的管芯或晶圆时，期望的是待结合管芯或晶圆的表面极其平坦和光滑。例如，表面应具有非常小的表面拓扑变化，使得表面可以紧密配合，以形成持久的键合。还希望表面清洁并且没有杂质、颗粒和/或其他残留物。例如，...
【技术保护点】
1.一种衬底，具有键合表面，所述衬底包括：
2.根据权利要求1所述的衬底，还包括在所述嵌入式阻挡界面材料上并部分地限定所述衬底的所述键合表面的键合层。
3.根据权利要求2所述的衬底，其中所述键合层完全覆盖所述嵌入式阻挡界面材料。
4.根据权利要求2所述的衬底，其中所述键合层包括硅和氧。
5.根据权利要求1所述的衬底，其中所述嵌入式阻挡界面材料跨所述衬底延伸。
6.根据权利要求1所述的衬底，其中所述嵌入式阻挡界面材料包括氮化硅、氧氮化硅、碳化硅或碳氮化硅中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的衬底...
【技术特征摘要】
1.一种衬底，具有键合表面，所述衬底包括：
2.根据权利要求1所述的衬底，还包括在所述嵌入式阻挡界面材料上并部分地限定所述衬底的所述键合表面的键合层。
3.根据权利要求2所述的衬底，其中所述键合层完全覆盖所述嵌入式阻挡界面材料。
4.根据权利要求2所述的衬底，其中所述键合层包括硅和氧。
5.根据权利要求1所述的衬底，其中所述嵌入式阻挡界面材料跨所述衬底延伸。
6.根据权利要求1所述的衬底，其中所述嵌入式阻挡界面材料包括氮化硅、氧氮化硅、碳化硅或碳氮化硅中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的衬底，其中所述嵌入式阻挡界面材料包括碳氮化硅。
8.根据权利要求1所述的衬底，其中所述嵌入式阻挡界面材料接触所述互连焊盘的侧壁。
9.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第一绝缘材料还包括第二腔，所述第二腔竖直延伸至少部分地穿过所述第一绝缘材料的所述厚度，以及至少部分地设置在所述第二腔中的第二导电互连焊盘，其中所述嵌入式阻挡界面材料从所述第一导电互连焊盘延伸到所述第二导电互连焊盘。
10.一种键合结构，包括：
11.根据权利要求10所述的键合结构，其中所述第一衬底的所述电介质表面被直接键合到所述第二衬底的所述第二绝缘材料，并且所述第一导电互连焊盘被直接接合到所述第二导电互连焊盘。
12.根据权利要求11所述的键合结构，其中所述键合层包括硅和氧。
13.根据权利要求12所述的键合结构，其中所述嵌入式阻挡界面材料包括碳氮化硅。
14.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·坎卡尔，C·E·尤佐，
申请(专利权)人：隔热半导体粘合技术公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。