半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法，属于半导体领域。该半导体结构刻蚀方法包括提供一半导体结构，所述半导体结构包括栅氧化层、多晶硅层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层、SOC膜层、抗反射层和光刻胶，所述多晶硅层覆盖在栅氧化层的表面，所述多晶硅层的表面具有第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，在具有第一硬掩膜层和第二硬掩膜层的多晶硅层表面覆盖有SOC膜层，所述抗反射层覆盖在SOC膜层的表面，所述光刻胶层覆盖在抗反射层的表面；对所述光刻胶进行刻蚀；所述光刻胶刻蚀之后，将惰性气体和三氟甲烷以设定的比例混合，得到混合气体，使用混合气体对所述抗反射层进行刻蚀；所述抗反射层刻蚀之后，使用二氧化硫气体对所述SOC膜层进行刻蚀。本发明专利技术通过氮气与三氟甲烷进行混合，从而能够使得氮气对三氟甲烷进行稀释，以减少氟的含量，使用三氟甲烷代替四氟化碳可以进一步减少含氟量，从而能够避免对硬掩膜层的侧壁产生损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法。

技术介绍

1、随着集成电路技术的不断进步，根据终端电子产品性能的需求，所要求的多晶硅的关键尺寸除了越做越小的同时，所要求的质量卡控越来越紧，从目前的28nm量产的最终结果来看，多晶硅的关键尺寸one sigma(一倍标准偏差)的波动只有0.25nm。但实际生产过程中因不可抗拒的制程异常步骤可能会在刻蚀多晶硅的步骤前返工重做。比如，当硅片因在多晶硅前的膜制生长背面的部分均匀地进入敏感性极高的浸没式光刻机后，会因背面异常导致静电吸盘异常导致聚焦异常而产生报警，从而需要重新制作半导体器件。再比如，产品量测监控对准或芯片形貌异常，也需要重新制作半导体器件。对于重做的半导体器件在刻蚀时，目前的刻蚀方法对硬掩膜层和多晶硅层的侧壁具有损伤，导致多晶硅刻蚀之后的关键尺寸会小于3sigma，进而导致该半导体器件的电性能参数，比如阀值电压和饱和电流不稳定，从而影响电子产品的性能。

2、目前对于大规模量产趋势的半导体器件，需要返工重新做的产品约占0.05％，因此，需要改善返工重新的刻蚀工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构刻蚀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体与三氟甲烷的体积比为1:1.5～1:3。

3.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其特征在于，使用含氧气体对所述光刻胶进行刻蚀。

4.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气。

5.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其特征在于，所述SOC膜层的材质为富含碳的材质。

6.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其特征在于，对所述SOC膜层刻蚀之后，该半导体结构刻蚀方法还包括：<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构刻蚀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体与三氟甲烷的体积比为1:1.5～1:3。

3.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其特征在于，使用含氧气体对所述光刻胶进行刻蚀。

4.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气。

5.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其特征在于，所述soc膜层的材质为富含碳的材质。

6.根据权利要求1所述的半导体结构刻蚀方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟玲，林玲玲，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：