【技术实现步骤摘要】
以下描述涉及集成电路(“ic”)的抛光。更具体地，以下描述涉及用于ic的混合接合的机械抛光。
技术介绍
1、混合接合是用于接合微电子部件(诸如管芯和晶片)并形成电气连接的有用技术。一种混合接合技术是购自xperi corp.的附属公司invensas bonding technologies,inc.(以前称为ziptronix,inc.)的接合技术的“direct bond interconnect”(参见例如美国专利号7,485,968，该美国专利全文以引用方式并入本文)。一般来讲，将两种电介质(各自定位在单独的基板上)放在一起，以在没有中介材料(诸如粘合剂)的情况下在低温或环境温度下形成接合部。
2、作为该接合方法的一部分或在该接合方法之后，导电结构(诸如铜垫、柱形件、穿过基板的通孔，或凸块)可散布在ic的电介质层内。可以将每个基板上的导电特征对准，以在两个基板之间提供电接口。
3、用于形成接合表面的常规技术可包括在基板(例如，有源半导体管芯等)上形成绝缘层(例如氧化物)，所述接合表面用于形成混合接合。绝缘层可被图案化以形成开口，并且可在绝缘层上方和图案化的开口内形成阻挡层。另外，也可在开口中并且通常在绝缘层上方形成导电结构(例如cu等)。然后可通过化学-机械平面化(cmp)方法去除导电结构的一部分，并且可通过cmp方法进一步去除覆盖绝缘层的阻挡层。这样，剩余的导电结构和绝缘层的表面可被准备成使得导电结构可与另一基板的导电结构形成电连接，并且绝缘层可与另一基板的绝缘层形成混合(即机械)接合。
...【技术保护点】
1.一种通过直接混合接合形成的部件，包括：
2.根据权利要求1所述的部件，其中所述第二基板还包括导电结构的第四布置，所述导电结构的第四布置在所述第二基板的与所述导电结构的第三布置相同的一侧上，所述第二基板上的所述导电结构的第四布置的所述导电结构中的至少一个导电结构被直接接合到所述第一基板上的所述导电结构的第二布置的所述导电结构中的至少一个导电结构。
3.根据权利要求2所述的部件，其中所述没有导电结构的区域包括接合界面的小于一半的面积。
4.根据权利要求1所述的部件，其中所述没有导电结构的区域是沿着所述第一基板与所述第二基板之间的接合界面的中心区域。
5.根据权利要求1所述的部件，其中所述导电结构的第一布置的节距不同于所述第一基板上的所述导电结构的第二布置的节距。
6.根据权利要求5所述的部件，其中所述导电结构的第一布置中的至少一个导电结构的宽度不同于所述导电结构的第二布置中的至少一个导电结构的宽度。
7.根据权利要求6所述的部件，其中所述第一布置与所述第二布置分隔开所述距离，所述距离不同于所述第一布置的所述节
8.根据权利要求1所述的部件，其中所述导电结构的第二布置具有不规律的图案。
9.根据权利要求1所述的部件，其中所述第二基板包括微电子存储器件。
10.根据权利要求1所述的部件，其中所述导电结构由铜、铜合金或镍构成。
11.一种通过直接混合接合形成的部件，包括：
12.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一布置中的所述第一导电结构中的至少一个第一导电结构的宽度不同于所述第二布置中的所述第二导电结构中的至少一个第二导电结构的宽度。
13.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一导电结构的第一布置的节距是所述第一导电结构中的至少一个第一导电结构的宽度的至少1.2倍。
14.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一基板还包括没有导电结构的第一区域，所述第一区域沿着所述第一基板与所述第二基板之间的接合界面、在所述第一基板的与所述第一布置和所述第二布置相同的一侧上。
15.根据权利要求14所述的部件，其中所述第一区域是在沿着所述第一基板与所述第二基板之间的所述接合界面的中心区域中，并且其中所述中心区域包括所述接合界面的小于一半的面积。
16.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一布置与所述第二布置分隔开一距离，所述距离大于所述第一布置的所述第一节距或所述第二布置的所述第二节距，并且其中将所述第一布置与所述第二布置分隔开的区域没有导电结构。
17.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一布置中的所述第一导电结构的宽度是均匀的。
18.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一布置中的所述第一导电结构的节距是均匀的。
19.根据权利要求11所述的部件，其中所述一个或多个沉积层还包含碳。
20.根据权利要求11所述的部件，其中所述一个或多个沉积层还包含氧。
21.一种通过直接混合接合形成的部件，包括：
22.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一布置中的每个第一导电结构具有至少5微米的宽度。
23.根据权利要求22所述的部件，其中所述第一导电结构的第一布置的节距不同于所述第二导电结构的第二布置的节距。
24.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一导电结构的第一布置的节距是所述第一导电结构中的至少一个第一导电结构的宽度的至少1.2倍。
25.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一布置与所述第二布置分隔开一距离，所述距离大于所述第一布置的节距或所述第二布置的节距。
26.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一导电结构和所述第二导电结构各自具有均匀的节距。
27.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一导电结构中的每个第一导电结构的第一宽度大于所述第二导电结构中的每个第二导电结构的第二宽度，并且其中相邻的第一导电结构之间的第一间隔小于相邻的第二导电结构之间的第二间隔。
28.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一布置中的所述第一导电结构的宽度是均匀的。
29.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一布置中的所述第一导电结构的节距是均匀的。
30.一种部件，包括：
31.一种部件，包括：
32.根据权利要求31所述的部件，其中所述第一多个第一导电结构的节距不同于所述第二多个第二导电结构的节距。
33.根据权利要求31所述的部...
【技术特征摘要】
1.一种通过直接混合接合形成的部件，包括：
2.根据权利要求1所述的部件，其中所述第二基板还包括导电结构的第四布置，所述导电结构的第四布置在所述第二基板的与所述导电结构的第三布置相同的一侧上，所述第二基板上的所述导电结构的第四布置的所述导电结构中的至少一个导电结构被直接接合到所述第一基板上的所述导电结构的第二布置的所述导电结构中的至少一个导电结构。
3.根据权利要求2所述的部件，其中所述没有导电结构的区域包括接合界面的小于一半的面积。
4.根据权利要求1所述的部件，其中所述没有导电结构的区域是沿着所述第一基板与所述第二基板之间的接合界面的中心区域。
5.根据权利要求1所述的部件，其中所述导电结构的第一布置的节距不同于所述第一基板上的所述导电结构的第二布置的节距。
6.根据权利要求5所述的部件，其中所述导电结构的第一布置中的至少一个导电结构的宽度不同于所述导电结构的第二布置中的至少一个导电结构的宽度。
7.根据权利要求6所述的部件，其中所述第一布置与所述第二布置分隔开所述距离，所述距离不同于所述第一布置的所述节距或所述第二布置的所述节距。
8.根据权利要求1所述的部件，其中所述导电结构的第二布置具有不规律的图案。
9.根据权利要求1所述的部件，其中所述第二基板包括微电子存储器件。
10.根据权利要求1所述的部件，其中所述导电结构由铜、铜合金或镍构成。
11.一种通过直接混合接合形成的部件，包括：
12.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一布置中的所述第一导电结构中的至少一个第一导电结构的宽度不同于所述第二布置中的所述第二导电结构中的至少一个第二导电结构的宽度。
13.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一导电结构的第一布置的节距是所述第一导电结构中的至少一个第一导电结构的宽度的至少1.2倍。
14.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一基板还包括没有导电结构的第一区域，所述第一区域沿着所述第一基板与所述第二基板之间的接合界面、在所述第一基板的与所述第一布置和所述第二布置相同的一侧上。
15.根据权利要求14所述的部件，其中所述第一区域是在沿着所述第一基板与所述第二基板之间的所述接合界面的中心区域中，并且其中所述中心区域包括所述接合界面的小于一半的面积。
16.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一布置与所述第二布置分隔开一距离，所述距离大于所述第一布置的所述第一节距或所述第二布置的所述第二节距，并且其中将所述第一布置与所述第二布置分隔开的区域没有导电结构。
17.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一布置中的所述第一导电结构的宽度是均匀的。
18.根据权利要求11所述的部件，其中所述第一布置中的所述第一导电结构的节距是均匀的。
19.根据权利要求11所述的部件，其中所述一个或多个沉积层还包含碳。
20.根据权利要求11所述的部件，其中所述一个或多个沉积层还包含氧。
21.一种通过直接混合接合形成的部件，包括：
22.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一布置中的每个第一导电结构具有至少5微米的宽度。
23.根据权利要求22所述的部件，其中所述第一导电结构的第一布置的节距不同于所述第二导电结构的第二布置的节距。
24.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一导电结构的第一布置的节距是所述第一导电结构中的至少一个第一导电结构的宽度的至少1.2倍。
25.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一布置与所述第二布置分隔开一距离，所述距离大于所述第一布置的节距或所述第二布置的节距。
26.根据权利要求21所述的部件，其中所述第一导电结构和所述第二导电结构各自具有均匀的节距。
27.根据权利要求21所述的部件，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·G·小方丹，C·曼达拉普，C·E·尤佐，J·A·泰尔，
申请(专利权)人：隔热半导体粘合技术公司，
类型：发明
国别省市：
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