【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造的，具体涉及一种解决高深宽比深沟槽形貌问题的刻蚀方法。
技术介绍
1、随着功率半导体“超级结”的不断发展，高深宽比的深沟槽刻蚀工艺应用也越来越广泛，相应的刻蚀工艺要求以及形貌要求也越来越高。
2、在深沟槽刻蚀工艺中，随着硅刻蚀的不断进行，硅的刻蚀速率随着深宽比的逐渐增加而下降，称为lag效应，lag效应不仅存在于不同深宽比刻蚀，还普遍存在于固定结构中。一般lag效应的产生与反应物和生成物的受阻有关系，更大的深宽比会影响气体及等离子体的通畅度，导致离子在到达反应表面时功率减小，蚀刻速率降低，同时由于侧壁本身会吸收更多离子，使得到达底部参与反应的反应离子变少。
3、lag效应会导致深沟槽顶部过多的等离子体腐蚀，而底部的刻蚀逐渐减弱，出现诸如双斜面、顶部及侧壁损伤等一系列问题，最终导致电性的失效。目前，常规的深沟槽刻蚀工艺主要有两种，一种是单步刻蚀法，另一种为bosch工艺，即间歇式刻蚀方法，该方法采用多次交替循环刻蚀（sf6）和淀积(c4f8)工艺,形成类似于扇贝表面的侧壁。然而，以上两种方法均无法抑制lag效应的产生。
技术实现思路
1、本申请提供了一种解决高深宽比深沟槽形貌问题的刻蚀方法，可以解决相关技术中lag效应导致的形貌不良的问题。
2、本申请实施例提供的一种解决高深宽比深沟槽形貌问题的刻蚀方法，包括：
3、s1：提供一衬底，所述衬底表面覆盖有硬掩膜层，从而暴露出需要刻蚀的目标区域；
4、s2：去
5、s3：利用刻蚀气体对露出的所述目标区域进行第一刻蚀工艺，以形成刻蚀沟槽，所述刻蚀气体为sf6和氧气的混合气体；
6、s4：采用阶段刻蚀工艺继续刻蚀所述刻蚀沟槽，直到所述刻蚀沟槽的深度达到目标深度，在所述阶段刻蚀工艺的进行过程中，使用的刻蚀气体中sf6的占比逐渐增加。
7、在一些实施例中，所述在所述阶段刻蚀工艺的进行过程中，使用的刻蚀气体中sf6的占比逐渐增加，包括：
8、在所述阶段刻蚀工艺的进行过程中，每隔固定的时间间隔，使所述刻蚀气体中的sf6增加固定量，以使所述刻蚀气体中sf6的占比逐渐增加。
9、在一些实施例中，所述s3中的刻蚀沟槽的深度为所述目标深度的20%-50%。
10、在一些实施例中，所述刻蚀沟槽的目标深度大于等于40微米，特征尺寸小于4微米。
11、在一些实施例中，所述刻蚀气体中sf6和氧气的比值为1.2∶1。
12、在一些实施例中，在所述阶段刻蚀工艺的持续过程中，所述刻蚀气体中sf6和氧气的比值在1.2∶1到1.6∶1之间。
13、在一些实施例中，在所述s3和s4中，所述刻蚀气体的总气体流量不大于850sccm。
14、在一些实施例中，在所述s3和s4中，所述氧气的用量占所述刻蚀气体的总量的比例不大于35%。
15、本申请技术方案，至少包括如下优点：
16、1. 通过采用阶段刻蚀工艺，随着刻蚀深度的增加，刻蚀气体中的sf6的含量逐渐增加，从而能够保证刻蚀气体和等离子体的通畅度，保证了离子到达刻蚀沟槽下部的反应表面时的功率，保持了刻蚀速率，从而确保了刻蚀沟槽的形貌正常。
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1.一种解决高深宽比深沟槽形貌问题的刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述阶段刻蚀工艺的进行过程中，使用的刻蚀气体中SF6的占比逐渐增加，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S3中的刻蚀沟槽的深度为所述目标深度的20%-50%。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀沟槽的目标深度大于等于40微米，特征尺寸小于4微米。
5.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于，在所述S3中，所述刻蚀气体中SF6和氧气的比值为1.2∶1。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述阶段刻蚀工艺的持续过程中，所述刻蚀气体中SF6和氧气的比值在1.2∶1到1.6∶1之间。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述S3和S4中，所述刻蚀气体的总气体流量不大于850sccm。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述S3和S4中，所述氧气的用量占所述刻蚀气体的总量的比例不大于35%。
【技术特征摘要】
1.一种解决高深宽比深沟槽形貌问题的刻蚀方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述阶段刻蚀工艺的进行过程中，使用的刻蚀气体中sf6的占比逐渐增加，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述s3中的刻蚀沟槽的深度为所述目标深度的20%-50%。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀沟槽的目标深度大于等于40微米，特征尺寸小于4微米。
5.根据权利要求1-3所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞环，吴长明，冯大贵，余鹏，卢成博，陆小豪，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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