多路负载点电源金属陶瓷封装构造及其制造工艺制造技术

本申请涉及一种多路负载点电源金属陶瓷封装构造，包括陶瓷电路板、多个电源芯片、顶盖以及多个初始电性独立的裁剪支撑线。多个电源芯片设置于陶瓷电路板上；顶盖设置于陶瓷电路板上以气闭密封电源芯片；多个初始电性独立的裁剪支撑线设置于陶瓷电路板的下表面的四周边缘，用于封装制程中裁剪前支撑陶瓷电路板，裁剪支撑线延伸出陶瓷电路板的部位弯折形成QFP引脚。通过采用上述技术方案，弯折成型的QFP引脚具有较好的结构强度不易折断，且无需使用导热系数较低的粘胶安装，既优化了多路负载点电源的生产工艺，又能够提升了多路负载点电源的散热性，从而实现具有较好散热效果的高集成度的多路负载点电源。集成度的多路负载点电源。集成度的多路负载点电源。

【技术实现步骤摘要】
多路负载点电源金属陶瓷封装构造及其制造工艺


[0001]本申请涉及半导体器件的
，特别是涉及一种多路负载点电源金属陶瓷封装构造。

技术介绍

[0002]负载点电源（Point of Load）为靠近负载设置，用于向多种高性能半导体器件提供不同额定电压的电源装置。
[0003]随着航空航天、军工等领域电子产品的发展趋势，DC/DC变换器产品逐渐朝着大功率、多路集成、小型化、高密度的方向发展。传统的DC/DC变换器多以双列直插、扁平封装、LGA、BGA的封装形式为主，一般可兼容输出1～4路电压，电路存在着占板面积大、集成度低、成本高等缺点。通过SiP封装的设计能最大限度地优化产品内部组装密度、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本。SiP是从封装的立场出发，将多个不同功能的芯片、无源器件等组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，目前电子行业内多以PCB为载体，BGA、LGA、QFN的封装形式为主流。
[0004]目前，在现有的高性能芯片难以取得的情况下，采用QFP（Quad Flat Package）封装技术直接将多种不同输出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多路负载点电源金属陶瓷封装构造，其特征在于，包括：陶瓷电路板(10)，具有上表面与相对的下表面，所述上表面包括非中心排布的多个安装区；多个电源芯片(20)，设置于所述陶瓷电路板(10)的上表面的安装区；顶盖(30)，设置于所述陶瓷电路板(10)上，以气闭密封所述电源芯片(20)；多个初始电性独立的裁剪支撑线(40)，设置于所述陶瓷电路板(10)的下表面的四周边缘，用于封装制程中裁剪前支撑所述陶瓷电路板(10)，所述裁剪支撑线(40)延伸出所述陶瓷电路板(10)的部位弯折形成QFP引脚。2.根据权利要求1所述的多路负载点电源金属陶瓷封装构造，其特征在于，所述陶瓷电路板(10)的下表面的中央设置有金属散热层(11)，所述金属散热层(11)的纵向投影完全重合于所述安装区，所述金属散热层(11)的边角处设置有辨识点(11A)。3.根据权利要求2所述的多路负载点电源金属陶瓷封装构造，其特征在于，所述金属散热层(11)开设有十字形的应力吸收槽(11B)。4.根据权利要求3所述的多路负载点电源金属陶瓷封装构造，其特征在于，还包括设置于所述陶瓷电路板(10)上表面的被动元件(50)，所述被动元件(50)包括相对功率较大的第一SMD器件(51)以及相对功率较小的第二SMD器件(52)，所述第二SMD器件(52)与所述应力吸收槽(11B)的位置部分重合，所述第一SMD器件(51)组件分散设置于所述陶瓷电路板(10)的周边位置。5.根据权利要求1所述的多路负载点电源金属陶瓷封装构造，其特征在于，所述陶瓷电路板(10)的四周边缘周向设置有封口环挡(12)，所述顶盖(30)可维修地设置于所述封口环挡(12)背离所述陶瓷电路板(10)的一侧。6.根据权利要求5所述的多路负载点电源金属陶瓷封装构造，其特征在于，所述陶瓷电路板(10)、...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘建男，于长存，李坤鹏，侯君，
申请(专利权)人：北京七星华创微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：