基板及封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种基板。该基板包括自上而下依次层叠且电连接的多个金属层，多个金属层之间通过介电层间隔，基板具有低侧功率连接区，低侧功率连接区内，多个金属层中的至少一个金属层中的金属条的延伸方向与其他金属层中的金属条的延伸方向不同。如此应用该基板的封装结构具有较好的应力分布，可以保障产品具有良好的可靠性。本实用新型专利技术还提供一种封装结构，该封装结构包括上述的基板以及倒装在基板上的半导体晶片。上的半导体晶片。上的半导体晶片。

【技术实现步骤摘要】
基板及封装结构


[0001]本技术涉及封装
，特别涉及一种基板及封装结构。

技术介绍

[0002]QFN(QuadFlatNo
‑
leadPackage，方形扁平无引脚封装)，表面贴装型封装之一，QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。
[0003]图1为传统QFN封装结构的剖面示意图。如图1所示，该QFN封装结构中，芯片101倒装在框架102上，芯片的焊料凸点101a焊接在框架的引线端子102a上，塑封料103包覆芯片101并填充在引线端子102a之间。该QFN封装结构中，如图1中虚线框的位置所示，引线端子102a之间仅凭借塑封料支撑，而无金属层支撑，存在巨大的应力缺陷，使得整个封装结构存在折板风险，可靠性较差。
[0004]因此，如何提高封装结构的可靠性有待解决。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种基板和一种封装结构，能够提高封装结构的可靠性及电性能。
[0006]为了实现上述目的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板，其特征在于，所述基板包括自上而下依次层叠且电连接的多个金属层，多个金属层之间通过介电层间隔，所述基板具有低侧功率连接区，所述低侧功率连接区内，所述多个金属层中的至少一个金属层中的金属条的延伸方向与其他金属层中的金属条的延伸方向不同。2.如权利要求1所述的基板，其特征在于，在每个延伸方向上，至少有两个金属层的金属条设置为该延伸方向。3.如权利要求1所述的基板，其特征在于，相邻两层金属层的金属条的延伸方向不同。4.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述低侧功率连接区与半导体晶片的低侧功率MOS布置区位置对应，且所述低侧功率MOS布置区内的凸点与多个金属层中的顶部金属层中所述低侧功率连接区内的金属条连接。5.如权利要求4所述的基板，其特征在于，所述顶部金属层的低侧功率连接区内布置有多个金属条，所述半导体晶片的低侧功率MOS布置区内同一列的所述凸点与所述多个金属条中的同一个连接。6.如权利要求5所述的基板，其特征在于，所述顶部金属层的低侧功率连接区内，相邻的两个金属条分别电连接的所述低侧功率MOS布置区内的凸点列的功能网络是不同的。7.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括自上而下依次层叠且电连接的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层；所述低侧功率连接区内，所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层中的其中两个金属层的金属条沿第一方向延伸，另外两个金属层的金属条沿不同于第一方向的第二方向延伸。8.如权利要求7所述的基板，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。9.如权利要求7所述的基板，其特征在于，所述第一金属层中金属条的延伸方向与半导体晶片的低侧功率MOS布置区的多个凸点列的延伸方向相同。10.如权利要求7所述的基板，其特征在于，所述基板靠近所述第四金属层的一面设置有阻焊层，所述阻焊层上设置有用于部分露出所述第四金属层的多个条形开窗，所述低侧功率连接区内，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张铁成，张胡军，李东，欧阳茜，
申请(专利权)人：成都晶丰明源半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：