【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，更具体地，涉及一种包括 通过半导体区而彼此部分隔离的元件的。
技术介绍
通常，半导体器件中的元件隔离是通过STI (浅沟槽隔离)方法执行 的，其中珪衬底被蚀刻以形成沟槽，在该沟槽中掩埋介电膜。然而，该STI 方法在诸如CMOS (互补金属氧化物半导体)图像传感器的图像采集器件 (下文中称为"成像器件，，)中的应用引起以下问题。如果成像器件中的光电二极管通过STI而彼此隔离，则在蚀刻珪衬底 期间发生损伤，并且在沟槽中掩埋介电膜期间施加应力，导致在硅衬底中 引入晶体缺陷。因此，晶体缺陷的不成对的电子对充当载流子，在图像中 产生白斑。为防止该问题，需要用阱(反转层)包围STI,但这减小了光 电二极管的面积，减小量为阱的裕度。从而，在光电转换期间的饱和电子 数量减少，引起图像特性的劣化，例如灵敏度降低。该问题在像素间距降 低的情况下尤其明显。在这种情况下，作为在防止图像特性劣化的同时获得足够的元件隔离 能力的一种途径，研究了基于台面隔离(mesa isolation)方法的元件隔离 在成像器件中的应用。台面隔离是一种PN隔离的方法，其中在元件之间7形...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括： 半导体衬底； 第一导电类型区，形成在所述半导体衬底的上部中，并且具有第一导电类型； 第二导电类型区，形成在所述半导体衬底的上部中，与所述第一导电类型区接触，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类 型；以及 半掩埋介电膜，设置在所述第二导电类型区的正上方，具有掩埋在所述半导体衬底中的下部，且具有从所述半导体衬底的上表面突出的上部， 所述第二导电类型区和所述半掩埋介电膜使得所述第一导电类型区与这样的区域隔离，该区域跨过所述第 二导电类型区在所述第一导电类型区的相对侧且与所述第二导电类型区接触。
【技术特征摘要】
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