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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成硬掩 模材料膜，并且在半导体衬底的上表面中的开口的正下方形成凹陷。接下 来，通过使用硬掩模材料膜作为掩模在成像区中注入杂质，在凹陷的正下 方形成p型区。并且，通过在处理区中进一步加工所...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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