【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压电薄膜、制造所述薄膜的方法、使用本专利技术压电薄膜的压电元件以及喷墨系统记录头。本专利技术具体涉及钙钛矿类型的晶体压电薄膜，其中薄膜中的成分被设定为一致的，并且构成薄膜的晶体的晶系被设定为相同的从而增强压电性能。
技术介绍
压电元件通常包括下部和上部电极，以及保持在这些电极之间的铁电体或仲电态结晶压电陶瓷。关于压电陶瓷，通常为锆钛酸铅(在下文中称之为“PZT”)或镧被加入到PZT中的“PLZT类型的”。例如，在Applied Physics Letters1991，Vol.58，No.11第1161到1163页中已描述了使用PZT的铁电体制品。 作为使用薄膜压电陶瓷的压电元件的应用示例，存在一种喷墨系统记录头。对于用在该应用中以提高机电转换功能(压力促进位移)的压电薄膜来说大约1μm到25μm的膜厚度是必需的。期望膜具有一致性以便于以良好的精确度控制位移(displacement)。 制造金属氧化物类型的压电薄膜的工艺的示例包括溅射工艺、有机金属化学汽相淀积工艺(MOCVD工艺)、溶胶凝胶工艺等。在溶胶凝胶工艺中，包含构成原材料、部分水解材...
【技术保护点】
一种由通式Ｐｂ↓［（１－ｘ）］Ｌａ↓［ｘ］（Ｚｒ↓［ｙ］Ｔｉ↓［１－ｙ］）Ｏ↓［３］表示的钙钛矿晶体的压电薄膜，０≤ｘ＜１，０．０５≤ｙ≤１， 其中压电薄膜的膜厚度为大于或等于１０００ｎｍ并小于或等于４０００ｎｍ， 所述压电薄膜的表面包含具有大于或等于２００ｎｍ的等效圆直径的晶粒、以及具有小于或等于４０ｎｍ的等效圆直径的晶粒，并且 相对于在压电薄膜的表面中观察到的晶粒的总数量，在压电薄膜的表面中观察到的具有小于或等于４０ｎｍ的等效圆直径的晶粒的数量为大于或等于５％。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：久保田纯，小林本和，襟立信二，内田文生，前田宪二，清水千惠美，
申请(专利权)人：佳能株式会社，富士化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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