【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在制备半导体器件的光刻工艺步骤等中用于支撑基板的晶片卡盘构件。
技术介绍
1、已知在制备半导体器件的光刻工艺步骤中陶瓷材料例如碳化硅陶瓷和氮化硅陶瓷被用作晶片卡盘构件，该晶片卡盘构件用于支撑基板。其中，碳化硅陶瓷由于其高机械强度从而抵抗耐久性降低，并且由于其高导热性从而温度变化所引起的半导体晶片的定位精度的降低较小。因此，碳化硅陶瓷适合于晶片卡盘构件。然而，当将碳化硅构件研磨或抛光为预定形状以用作晶片卡盘材料时，已知在其表面出现细微裂纹，细碳化硅陶瓷颗粒从细微裂纹分离为粉尘。沉积在半导体器件的电路上的这些粉尘(废料)引起电路绝缘故障、短路或其他问题。
2、因此，已知在晶片卡盘的表面上形成多晶金刚石膜或硬质碳膜，以防止从晶片卡盘产生粉尘(日本专利公开no.平6-204324)。
3、在用于马达部件的碳化硅陶瓷中，也已知在空气中或在氧化气氛中在400℃至1400℃的范围内的温度下进行热处理能够减少粉尘的产生(日本专利公开no.2002-47078)。这是因为在空气中或在氧化气氛中的热处理形成含有氧化物的表面膜。
4、但是，仅在形成有多晶金刚石膜或硬质碳膜的晶片卡盘表面上减少灰尘产生，而在其上未形成这样的膜的侧面或背面上不能减少灰尘产生。
5、在空气中或在氧化气氛中在400℃至1400℃的范围内的温度下对碳化硅陶瓷进行热处理能够减少粉尘产生。然而，与碳化硅陶瓷相比，由此形成的含有氧化物的表面膜具有更低的机械强度和更高的摩擦系数。尽管这些在马达部件中不是大问题，但在需要纳米级
技术实现思路
1、本专利技术的第一方面提供晶片卡盘，其包括由含有碳化硅的陶瓷制成的基底，其中，所述基底具有氧化处理层，并且在所述基底的最外表面上形成有由类金刚石碳(dlc)制成的膜。
2、本专利技术的第二方面提供生产晶片卡盘的方法，包括：对由含有碳化硅的陶瓷制成的基底的表面进行氧化处理；以及形成由类金刚石碳(dlc)制成的膜。
3、通过以下参考附图对例示实施方式的描述，本专利技术的其他特征将变得清晰。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.晶片卡盘，其包括由含有碳化硅的陶瓷制成的基底，其中，所述基底具有氧化处理层，并且在所述基底的最外表面上形成有由类金刚石碳(DLC)制成的膜。
2.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中，在所述氧化处理层与所述膜之间形成有至少含有硅或碳的层。
3.根据权利要求2所述的晶片卡盘，其中，所述至少含有硅或碳的层的厚度为0.01μm以上且1μm以下。
4.根据权利要求2或3所述的晶片卡盘，其中，所述至少含有硅或碳的层是主要由硅、氮化硅、碳化硅或氮化碳组成的层。
5.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中，在所述氧化处理层与所述膜之间形成有含有碳、硅、氧和氢的非晶层。
6.根据权利要求5所述的晶片卡盘，其中，所述含有碳、硅、氧和氢的非晶层的厚度为0.01μm以上且1μm以下。
7.根据权利要求5或6所述的晶片卡盘，其中，所述含有碳、硅、氧和氢的非晶层中的碳、硅、氧和氢原子的浓度各自为5原子％以上，并且氧原子浓度为20原子％以下。
8.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中，所述膜的厚度为0.04μm以上且1μm以下。
9.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中，所述氧化处理层具有大于25原子％的氧原子浓度。
10.生产晶片卡盘的方法，包括：
11.根据权利要求10所述的生产晶片卡盘的方法，还包括：
12.根据权利要求10所述的生产晶片卡盘的方法，还包括：
13.曝光装置，其包括根据权利要求1至9中任一项所述的晶片卡盘。
...【技术特征摘要】
1.晶片卡盘，其包括由含有碳化硅的陶瓷制成的基底，其中，所述基底具有氧化处理层，并且在所述基底的最外表面上形成有由类金刚石碳(dlc)制成的膜。
2.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中，在所述氧化处理层与所述膜之间形成有至少含有硅或碳的层。
3.根据权利要求2所述的晶片卡盘，其中，所述至少含有硅或碳的层的厚度为0.01μm以上且1μm以下。
4.根据权利要求2或3所述的晶片卡盘，其中，所述至少含有硅或碳的层是主要由硅、氮化硅、碳化硅或氮化碳组成的层。
5.根据权利要求1所述的晶片卡盘，其中，在所述氧化处理层与所述膜之间形成有含有碳、硅、氧和氢的非晶层。
6.根据权利要求5所述的晶片卡盘，其中，所述含有碳、硅、氧和...
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