线路板及其制备工艺制造技术

一种线路板的制备工艺，首先，提供一具有一第一表面与至少一第一线路的第一介电层。接着，形成一具有一第二表面的第二介电层于第一介电层上。对第二表面照射一第一激光束，以形成至少一从第二表面延伸至第一线路的盲孔。对第二表面照射一第二激光束，以形成一第二凹刻图案。之后，形成一图案化线路层于第二介电层。图案化线路层包括位于部份第二表面上的至少一第二线路、位于第二凹刻图案内的至少一第三线路以及位于盲孔中的一连接线路。第二线路或第三线路由连接线路电性连接至第一线路。第三线路的线宽小于第二线路的线宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种线路板(circuit board)及其制备工艺，且特别是有关于一 种在同一线路层中具有内埋式线路与非内埋式线路的线路板及其制备工艺。
技术介绍
现今的线路板技术已从一般常见的非内埋式线路板发展为内埋式线路板 (embedded circuit board)。详细而言，一般常见的非内埋式线路板的特征在于其线路是 突出于介电层的表面上，而内埋式线路板的特征在于其线路是内埋于介电层中。目前，线路 板的线路结构通常都是通过微影与蚀刻制备工艺或激光烧蚀方式分别所形成。有关上述形 成线路板的线路结构的方法，请参考图IA至图1E、图2A至图2C以及以下的说明。图IA至图IE为公知一线路板的线路结构制备工艺的剖面示意图。请先参考图1A， 依照公知线路板的线路结构制备工艺，首先，提供一介电层12，其中介电层12具有一表面 12a。接着，请参考图1B，于介电层12的表面12a上形成一金属层14。接着，请参考图1C， 形成一图案化罩幕16于金属层14上。接着，请同时参考图IC与图1D，以图案化罩幕16为 蚀刻罩幕，蚀刻部份暴露于图案化罩幕16的外的金属层14，而形成一一般线路图案14a与 一微细线路图案14b。之后，移除图案化罩幕16，以暴露出一般线路图案14a与微细线图案 14b。至此，线路板的线路结构10已大致完成。由于公知线路板的线路结构10是利用微影与蚀刻制备工艺，以同时于一线路层 中形成一般线路图案14a与微细线图案14b，其中微细线路图案14b的线路14b’的线宽小 于一般线路图案14a的线路14a’的线宽。然而，微细线路图案14b的线路14b’受限于蚀 刻的制备工艺能力，造成公知蚀刻制备工艺无法稳定地控制蚀刻变异性(蚀刻液对金属层 14与介电层12表面残铜的蚀刻程度)，因此公知技术制作出的微细线路图案14b的线路 14b’的线宽制备工艺公差较大，也就是说，蚀刻制备工艺无法精确地控制微细线路图案14b 的线路14b’的线宽。换言之，公知线路板的线路结构10利用微影与蚀刻制备工艺，无法在 同一介电层12的表面12a上制作出一般线路图案14a与较精确的微细线路图案14b。图2A至图2C为公知一内埋式线路板的线路结构的制备工艺的剖面示意图。请先 参考图2A，依照公知内埋式线路板的线路结构的制备工艺，首先，提供一介电层22，其中介 电层22具有一表面22a。接着，请参考图2B，于介电层22的表面22a照射一激光束L，以形 成一第一凹刻图案22b与一第二凹刻图案22c。之后，请参考图2C，形成一般线路图案24a 于第一凹刻图案22b内以及形成一微细线路图案24b于第二凹刻图案22c内。至此，内埋 式线路板的线路结构20已大致完成。公知线路板的线路结构20是利用激光绕走烧蚀的方式，以同时于一线路层形成 一般线路图案24a与微细线图案24b，其中一般线路图案24a的线路24a’的线宽大于微细 线路图案24b的线路24b’的线宽，也就是说，第一凹刻图案22b需由激光束L绕走烧蚀较 大面积的介电层22来形成一般线路图案24a的线路24a’所需的线宽。然而，激光绕走烧 蚀较大面积时，需耗费较多的激光能量与较多的时间，另连续激光绕走烧蚀下，激光输出能量的稳度控制或激光束的景深控制，皆有可能容易造成第一凹刻图案22b的底面有平整度 不均的风险。换言之，激光绕走烧蚀的方式不适于制作内埋式线路板的线路结构20的大面 积一般线路图案24a，除了需消耗较多得时间外，也有线路质量不稳定的风险
技术实现思路
本专利技术的目歪在于提供一种线路板及其制备工艺，尤其是一种在同一线路层中具 有内埋式线路与非内埋式线路的线路板及其制备工艺。为实现上述目的，本专利技术提供线路板的制备工艺，首先，提供一第一介电层。第一 介电层具有一第一表面与至少一第一线路。接着，形成一第二介电层于第一介电层上。第 二介电层具有一第二表面，且第二介电层覆盖第一表面与第一线路。接着，对第二介电层的 第二表面照射一第一激光束，以形成至少一从第二介电层的第二表面延伸至第一线路的盲 孔。接着，对第二介电层的第二表面照射一第二激光束，以形成一第二凹刻图案，其中第二 凹刻图案与盲孔相连接。之后，形成一图案化线路层于第二介电层。图案化线路层包括位 于部份第二表面上的至少一第二线路、位于第二凹刻图案内的至少一第三线路以及位于盲 孔中的一连接线路，其中第二线路或第三线路藉由连接线路电性连接至第一线路，且第三 线路的线宽小于第二线路的线宽。在本专利技术的一实施例中，上述第一介电层还具有一位于第一表面的第一凹刻图 案，且第一线路位于第一凹刻图案内。在本专利技术的一实施例中，上述第一线路位于该第一介电层的该第一表面上。 在本专利技术的一实施例中，上述第二介电层的材质包括一高分子聚合物。在本专利技术的一实施例中，上述高分子聚合物是为选自于由环氧树脂、改质的 环氧树脂、聚酯(Polyester)、丙烯酸酯、氟素聚合物(Fluoro-polymer)、聚亚苯基氧 化物(Polyphenylene Oxide)、聚酰亚胺(Polyimide)、酚酸树脂(Phenolicresin)、 聚砜(Polysulfone)、硅素聚合物(Silicone polymer)、BT 树脂(Bismaleimide TriazineModified Epoxy(BT Resin))、氰酸聚酯(Cyanate Ester)、聚乙烯 (Polyethylene)、聚碳酸酯树脂(polycarbonate, PC)、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合 物(aery Ioni trile-butadiene-styrene copolymer, ABScopolymer)、聚对苯 ^ 甲酸乙 二酯(polyethylene terephthalate, PET)树脂、聚对苯二甲酸丁二酯(polybutylene terephthalate, PBT)树脂、液晶高分子(liquid crystal polymers, LCP)、聚酰胺 6(polyamide 6，PA6)、尼龙(Nylon)、共聚聚甲酸(polyoxymethylene, POM)、聚苯硫醚 (polyphenylene sulfide, PPS)及环状烯烃共聚高分子(cyclic olefincopolymer, C0C) 所组成的群组。在本专利技术的一实施例中，上述第二介电层包括多颗催化剂颗粒。在本专利技术的一实施例中，上述这些催化剂颗粒包括多个纳米金属颗粒。在本专利技术的一实施例中，上述这些催化剂颗粒的材质包括金属配位化合物。在本专利技术的一实施例中，上述这些金属配位化合物的材质包括金属氧化物、金属 氮化物、金属错合物或金属螯合物。在本专利技术的一实施例中，上述这些金属配位化合物的材质为选自于由锌(Zn， Zinc)、铜(Cu，Copper)、银(Ag，Silver)、金(Au，Gold)、镍(Ni，Nickel)、钯(Pd，Palladium)、钼(Pt, Platinum)、铝(Al, Aluminum)、钴(Co, Cobalt)、铑(Rh, Rhodium)、铱 (Ir, Iridium)、铁(Fe, Iron)、猛(Mn,Manganese)、络(Cr, Chromi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线路板的制备工艺，包括：提供一第一介电层，该第一介电层具有一第一表面与至少一第一线路；形成一第二介电层于该第一介电层上，该第二介电层具有一第二表面，且该第二介电层覆盖该第一表面与该第一线路；对该第二介电层的该第二表面照射一第一激光束，以形成至少一从该第二介电层的该第二表面延伸至该第一线路的盲孔；对该第二介电层的该第二表面照射一第二激光束，以形成一第二凹刻图案，其中该第二凹刻图案与该盲孔相连接；以及形成一图案化线路层于该第二介电层，该图案化线路层包括位于部份该第二表面上的至少一第二线路、位于该第二凹刻图案内的至少一第三线路以及位于该盲孔中的一连接线路，其中该第二线路或该第三线路由该连接线路电性连接至该第一线路，且该第三线路的线宽小于该第二线路的线宽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余丞博，张启民，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]