晶片切割道对位标记结构及其制作方法技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶片切割道对位标记结构及其制作方法。晶片的切割道中具有标记位，对位标记结构形成于所述标记位中，包括：形成于所述标记位中的多个子对位标记；相邻两个所述子对位标记在所述标记位中相间隔；每个所述子对位标记包括对位槽和填充在所述对位槽中的多晶硅填充物；在所述标记位处，每个所述子对位标记的对位槽从晶片基底层的上表面向下延伸。本申请提供了的晶片切割道对位标记结构及其制作方法，可以解决相关技术中切割道对位标记结构存在剥落的风险的问题。存在剥落的风险的问题。存在剥落的风险的问题。

【技术实现步骤摘要】
晶片切割道对位标记结构及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种晶片切割道对位标记结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造过程中，对位标记结构至关重要的。例如在曝光过程中，通过对位标记确保当前层图案和前层图案对位准确，以保证产品的质量。
[0003]通常，会在晶片切割道中的标记位处设置对位标记。切割道中的对位标记，会在进行元胞屏蔽栅沟槽多晶硅填充工艺的同时，使得该工艺中的多晶硅填充切割道的标记位以形成对位标记。
[0004]但是，当切割道的宽度大于元胞屏蔽栅沟槽多晶硅填充工艺中的多晶硅层厚度时，该多晶硅填充工艺沉积的多晶硅层无法填充满切割道的标记位，从而使得标记位处形成图1a所示的结构，即标记位处的切割道表面覆盖有多晶硅层400，且该多晶硅层400在切割道下表面较厚，位于切割道两侧表面的多晶硅层越靠近切割道开口处越薄。从而在后续刻蚀过程中，靠近切割道开口处的多晶硅层400会被先刻蚀掉，形成图1b所示的结构，从图1b中可以看出该多晶硅层400的上端悬空，存在剥落的风险。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种晶片切割道对位标记结构及其制作方法，可以解决相关技术中切割道对位标记结构存在剥落的风险的问题。
[0006]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请的第一方面提供一种晶片切割道对位标记结构，晶片的切割道中具有标记位，对位标记结构形成于所述标记位中，包括：形成于所述标记位中的多个子对位标记；
[0007]相邻两个所述子对位标记在所述标记位中相间隔；
[0008]每个所述子对位标记包括对位槽和填充在所述对位槽中的多晶硅填充物；
[0009]在所述标记位处，每个所述子对位标记的对位槽从晶片基底层的上表面向下延伸。
[0010]可选地，所述切割道中形成有多个标记位，多个所述标记位沿所述切割道的延伸方向间隔排布。
[0011]可选地，每个子对位标记的延伸方向与所述切割道的延伸方向一致。
[0012]可选地，所述标记位中子对位标记的相邻排布方向垂直于所述切割道的延伸方向。
[0013]可选地，通过多晶硅沉积工艺形成多晶硅层，使得所述多晶硅层填充满所述子对位标记中的对位槽形成所述多晶硅填充物；
[0014]每个所述子对位标记的宽度等于所述多晶硅层厚度的两倍。
[0015]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请的第二方面提供一种晶片切割道对
位标记结构的制作方法，所述晶片切割道对位标记结构的制作方法包括以下步骤：
[0016]提供带有切割道的晶片，所述切割道具有标记位；
[0017]在所述切割道的标记位中形成多个对位槽，使得相邻两个对位槽在所述标记位中相间隔，每个所述对位槽在所述标记位处，从晶片基底层的上表面向下延伸；
[0018]通过多晶硅沉积工艺形成多晶硅层，使得所述多晶硅层填充满所述对位槽，在所述对位槽中形成多晶硅填充物。
[0019]可选地，所述在所述切割道的标记位中形成多个对位槽，使得相邻两个对位槽在所述标记位中相间隔，每个所述对位槽在所述标记位处，从晶片基底层的上表面向下延伸的步骤，包括：
[0020]在所述切割道的标记位中形成多个对位槽，使得相邻两个对位槽在所述标记位中相间隔，每个所述对位槽在所述标记位处，从晶片基底层的上表面向下延伸，且每个所述对位槽的延伸方向与所述切割道的延伸方向一致。
[0021]可选地，所述在所述切割道的标记位中形成多个对位槽，使得相邻两个对位槽在所述标记位中相间隔，每个所述对位槽在所述标记位处，从晶片基底层的上表面向下延伸的步骤，包括：
[0022]在所述切割道的标记位中形成多个对位槽，使得相邻两个对位槽在所述标记位中相间隔，每个所述对位槽在所述标记位处，从晶片基底层的上表面向下延伸，且每个所述对位槽的相邻排布方向垂直于所述切割道的延伸方向。
[0023]可选地，所述通过多晶硅沉积工艺形成多晶硅层，使得所述多晶硅层填充满所述对位槽，在所述对位槽中形成多晶硅填充物的步骤中，每个所述子对位标记的宽度等于所述多晶硅层厚度的两倍。
[0024]本申请技术方案，至少包括如下优点：本实施例通过在切割道大的标记位中设置多个子对位标记，以使得通过多晶硅沉积工艺形成多晶硅层，使得所述多晶硅层能够填充满各个子对位标记中的对位槽，避免因标记位中的对位标记过宽而出现多晶硅层无法填充满对位槽的问题
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1a示出了相关技术中在进行完多晶硅填充工艺后，切割道位置处的剖视结构示意图；
[0027]图1b示出了相关技术中最终在切割道位置处形成的对位标记结构剖视示意图；
[0028]图2示出了本申请一实施例提供的带有切割道的晶片部分结构示意图；
[0029]图3示出了图2中的A部分放大结构示意图；
[0030]图4示出了图3中的B
‑
B向剖视结构示意图；
[0031]图5示出了本申请一实施例提供的晶片切割道对位标记结构的制作方法流程图；
[0032]图6示出了完成步骤S2后标记位处的剖视结构示意图；
[0033]图7示出了步骤S3完成后标记位处的剖视结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0035]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0036]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0037]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片切割道对位标记结构，其特征在于，晶片的切割道中具有标记位，对位标记结构形成于所述标记位中，包括：形成于所述标记位中的多个子对位标记；相邻两个所述子对位标记在所述标记位中相间隔；每个所述子对位标记包括对位槽和填充在所述对位槽中的多晶硅填充物；在所述标记位处，每个所述子对位标记的对位槽从晶片基底层的上表面向下延伸。2.如权利要求1所述的晶片切割道对位标记结构，其特征在于，所述切割道中形成有多个标记位，多个所述标记位沿所述切割道的延伸方向间隔排布。3.如权利要求1所述的晶片切割道对位标记结构，其特征在于，每个子对位标记的延伸方向与所述切割道的延伸方向一致。4.如权利要求1或3所述的晶片切割道对位标记结构，其特征在于，所述标记位中子对位标记的相邻排布方向垂直于所述切割道的延伸方向。5.如权利要求1所述的晶片切割道对位标记结构，其特征在于，通过多晶硅沉积工艺形成多晶硅层，使得所述多晶硅层填充满所述子对位标记中的对位槽形成所述多晶硅填充物；每个所述子对位标记的宽度等于所述多晶硅层厚度的两倍。6.一种晶片切割道对位标记结构的制作方法，其特征在于，所述晶片切割道对位标记结构的制作方法包括以下步骤：提供带有切割道的晶片，所述切割道具有标记位；在所述切割道的标记位中形成多个对位槽，使得相邻两个对位槽在所述标记位中相间隔，每个所述对位槽在所述标记位处，从晶片基底层的上表面向下...

【专利技术属性】
技术研发人员：李峰，居碧玉，刘伟林，陈辉，岳鹏，许文霞，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：