一种硅基晶圆及制备方法技术

本申请公开一种硅基晶圆及制备方法，涉及微电子技术领域。一种硅基晶圆，包括：硅基衬底，包括功能区域和静电检测区域；所述功能区域用于设置功能器件，所述静电检测区域设置有静电检测电路。通过设置静电检测区域，利用静电检测区域设置的静电检测电路，对硅基晶圆生产过程中的任意工艺制程后的静电损伤进行检测，基于静电损伤的检测情况，可以对上一道工艺制程的设备进行静电释放的监控和分析，便于对设备的静电释放进行改善。另外，基于静电损伤的检测情况，可以对当前的硅基晶圆的静电损伤进行评估，便于将损伤程度较为严重的硅基晶圆报废或返工，避免流向后续制程造成生产资源浪费，能够对生产过程中的静电情况进行监测和风险管控。风险管控。风险管控。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基晶圆及制备方法


[0001]本申请涉及微电子
，尤其涉及一种硅基晶圆及制备方法。

技术介绍

[0002]目前，ESD，即静电放电，指芯片与外界物体直接或者间接接触形成通路，产生瞬间的大电流以及大电压，从而造成芯片击穿、熔断等损伤。硅基微显示产品的生产过程中，由于产品尺寸小，生产过程中成膜、清洗、剥离光刻胶等工艺过程均会引起ESD损伤。然而，现有的硅基晶圆的生产中，难以对生产过程中的静电损伤进行在线监测和风险管控。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种硅基晶圆及制备方法，能够对生产过程中的静电情况进行监测和风险管控。
[0004]本申请实施例的第一方面，提供一种硅基晶圆，包括：
[0005]硅基衬底，包括功能区域和静电检测区域；
[0006]所述功能区域用于设置功能器件，所述静电检测区域设置有静电检测电路。
[0007]在一些实施方式中，所述静电检测区域设置有膜厚检测结构，和/或电阻检测结构。
[0008]在一些实施方式中，所述静电检测区域的数量为多个，每个所述静电检测区域包括至少一个所述膜厚检测结构和至少一个静电检测电路。
[0009]在一些实施方式中，所述静电检测区域的数量为多个，至少两个所述静电检测区域对应的所述静电检测电路的检测阈值不同。
[0010]在一些实施方式中，在所述静电检测区域的排列方向上，每个所述静电检测区域对应的所述检测阈值逐渐增大或逐渐减小。
[0011]在一些实施方式中，多个所述静电检测区域分为至少两组，至少两组所述静电检测区域关于经过所述硅基晶圆几何中心的线对称；
[0012]任意两个对称的所述静电检测区域的检测阈值相同。
[0013]在一些实施方式中，所述功能区域与所述静电检测区域无交叠。
[0014]在一些实施方式中，所述静电检测区域与相邻的所述功能区域之间，和/或相邻的所述功能区域之间设置有切割区域。
[0015]在一些实施方式中，多个所述功能区域围绕至少一个所述静电检测区域；和/或，
[0016]至少一个所述静电检测区域设置在所述功能区域远离所述硅基晶圆的几何中心的一侧；和/或，
[0017]至少两个所述静电检测区域关于任意所述功能区域对称。
[0018]本申请实施例的第二方面，提供一种硅基晶圆的制备方法，包括：
[0019]在硅基衬底的功能区域设置驱动器件；
[0020]在制备所述驱动器件的过程中，同步制备静电检测电路；
[0021]对所述静电检测电路施加检测信号，接收反馈信号；
[0022]基于所述反馈信号，分析所述静电检测电路的电路导通性能，以判断所述静电检测区域受到的静电损伤等级；
[0023]基于所有所述静电检测区域的所述静电损伤等级，对静电检测步骤之前的工艺制程进行静电风险设备定位、工艺定位以及对当前所述硅基晶圆的良率评估。
[0024]本申请实施例提供的硅基晶圆，通过设置静电检测区域，利用静电检测区域设置的静电检测电路，对硅基晶圆生产过程中的任意工艺制程后的静电损伤进行检测，基于静电损伤的检测情况，可以对上一道工艺制程的设备进行静电释放的监控和分析，便于对设备的静电释放进行改善。另外，基于静电损伤的检测情况，可以对当前的硅基晶圆的静电损伤进行评估，静电检测电路的损伤情况可以在一定范围内反映功能器件受到的静电损伤情况，用于对硅基晶圆的静电损伤分布和损伤等级进行风险评估和良率评估，便于将损伤程度较为严重的硅基晶圆报废或返工，避免流向后续制程造成生产资源浪费。
附图说明
[0025]图1为本申请实施例提供的一种硅基晶圆的示意性结构图；
[0026]图2为本申请实施例提供的另一种硅基晶圆的示意性结构图；
[0027]图3为本申请实施例提供的又一种硅基晶圆的示意性结构图；
[0028]图4为本申请实施例提供的再一种硅基晶圆的示意性结构图；
[0029]图5为本申请实施例提供的一种硅基晶圆的示意性结构图；
[0030]图6为本申请实施例提供的另一种硅基晶圆的示意性结构图；
[0031]图7为本申请实施例提供的一种硅基晶圆的制备方法的示意性流程图。
具体实施方式
[0032]为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0033]在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
[0034]目前，ESD，即静电放电，指芯片与外界物体直接或者间接接触形成通路，产生瞬间的大电流以及大电压，从而造成芯片击穿、熔断等损伤。硅基微显示产品的生产过程中，由于产品尺寸小，生产过程中成膜、清洗、剥离光刻胶等工艺过程均会引起ESD损伤。然而，现有的硅基晶圆的生产中，难以对生产过程中的静电损伤进行在线监测和风险管控。
[0035]有鉴于此，本申请实施例提供一种硅基晶圆及制备方法，能够对生产过程中的静电情况进行监测和风险管控。
[0036]本申请实施例的第一方面，提供一种硅基晶圆，图1为本申请实施例提供的一种硅基晶圆的示意性结构图。如图1所示，硅基晶圆，包括：硅基衬底100，包括功能区域200和静电检测区域300；功能区域200用于设置功能器件，静电检测区域300设置有静电检测电路。需要说明的是，可以根据硅基晶圆的应用场景，在功能区域200内设置对应的功能器件，示例性的，硅基晶圆可以应用在显示装置中，作为显示面板，则功能器件可以是显示器件，显示器件可以包括驱动器件和发光器件。示例性的，硅基晶圆还可以应用于集成电路或传感器等，功能器件可以是集成电子器件或传感器件。静电检测区域300内设置有静电检测电路，静电检测电路可以检测出静电检测区域300是否受到静电损伤，以及根据检测静电的损伤情况，具体可以根据静电击穿的承受能力来分析。可以利用静电检测电路检测任意工艺制程对硅基晶圆的静电损伤情况，对任意工艺制程的设备的静电风险进行分析定位，以及对硅基晶圆当前的静电损伤情况进行风险评估，避免造成静电损伤较为严重的硅基晶圆流向后续制程，引起生产资源浪费。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基晶圆，其特征在于，包括：硅基衬底，包括功能区域和静电检测区域；所述功能区域用于设置功能器件，所述静电检测区域设置有静电检测电路。2.根据权利要求1所述的硅基晶圆，其特征在于，所述静电检测区域设置有膜厚检测结构，和/或电阻检测结构。3.根据权利要求2所述的硅基晶圆，其特征在于，所述静电检测区域的数量为多个，每个所述静电检测区域包括至少一个所述膜厚检测结构和至少一个静电检测电路。4.根据权利要求1所述的硅基晶圆，其特征在于，所述静电检测区域的数量为多个，至少两个所述静电检测区域对应的所述静电检测电路的检测阈值不同。5.根据权利要求4所述的硅基晶圆，其特征在于，在所述静电检测区域的排列方向上，每个所述静电检测区域对应的所述检测阈值逐渐增大或逐渐减小。6.根据权利要求4所述的硅基晶圆，其特征在于，多个所述静电检测区域分为至少两组，至少两组所述静电检测区域关于经过所述硅基晶圆几何中心的线对称；任意两个对称的所述静电检测区域的检测阈值相同。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：施蓉蓉，单庆山，陈小川，杨盛际，杨俊彦，昌娜，张红兵，张明瑞，
申请(专利权)人：云南创视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：