显示基板及其制备方法技术

本公开提供一种显示基板及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开涉及但不限于显示
，尤指一种显示基板及其制备方法
、
显示装置
。

技术介绍

[0002]微型有机发光二极管
(Micro Organic Light
‑
Emitting Diode
，简称
Micro
‑
OLED)
是近年来发展起来的微型显示器，硅基
OLED
是其中的一种
。
硅基
OLED
不仅可以实现像素的有源寻址，并且可以实现在硅基衬底上制备像素驱动电路等结构，有利于减小系统体积，实现轻量化
。
硅基
OLED
采用成熟的互补金属氧化物半导体
(Complementary Metal Oxide Semiconductor
，简称
CMOS)
集成电路工艺制备，具有体积小
、
高分辨率
(Pixels Per Inch
，简称
PPI)、
高刷新率等优点，广泛应用在虚拟现实
(Virtual Reality
，简称
VR)
或增强现实
(Augmented Reality
，简称
AR)
近眼显示领域中
。
[0003]经本申请专利技术人研究发现，现有硅基
OLED
的显示基板存在出光效率较低等问题
。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述
。
本概述并非是为了限制权利要求的保护范围
。
[0005]本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法
、
显示装置，以解决现有技术存在出光效率较低等问题
。
[0006]一方面，本公开提供了一种显示基板，包括显示结构层
、
设置在所述显示结构层上的封装结构层以及设置在所述封装结构层远离所述显示结构层一侧的彩膜结构层，所述封装结构层至少包括提高出光效率的取光结构
。
[0007]在示例性实施方式中，所述显示结构层至少包括基底
、
设置在所述基底上的驱动电路层和设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的发光结构层，所述发光结构层至少包括阳极和设置在所述阳极远离所述基底一侧的像素定义层，所述像素定义层上设置有像素开口，所述像素开口暴露出所述阳极，所述像素开口在所述基底上的正投影位于所述取光结构在所述基底上的正投影的范围之内
。
[0008]在示例性实施方式中，所述取光结构的取光面积为所述像素开口的开口面积的
1.4
倍至
1.6
倍，所述取光面积为所述取光结构在显示基板上正投影的面积，所述开口面积为所述像素开口在显示基板上正投影的面积
。
[0009]在示例性实施方式中，所述封装结构层至少包括第一子层
、
设置在所述第一子层远离所述显示结构层一侧的第二子层
、
设置在所述第二子层远离所述显示结构层一侧的多个取光结构以及覆盖多个取光结构的覆盖层，所述取光结构的折射率大于所述覆盖层的折射率
。
[0010]在示例性实施方式中，所述第一子层的材料包括氮化硅，所述第一子层的厚度为
0.8
μ
m
至
1.2
μ
m。
[0011]在示例性实施方式中，所述第二子层的材料包括氧化铝，所述第二子层的厚度为
0.03
μ
m
至
0.05
μ
m。
[0012]在示例性实施方式中，所述取光结构的折射率大于
1.92
，所述覆盖层的折射率小于或等于
1.5。
[0013]在示例性实施方式中，在波长
380n
至
980nm
波段，所述覆盖层的透过率大于
95
％
。
[0014]在示例性实施方式中，所述取光结构包括如下任意一种或多种：平凸型凸透镜
、
梯形剖面的棱镜或者三角形剖面的棱镜
。
[0015]在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，所述取光结构的取光宽度为
3.2
μ
m
至
3.4
μ
m
，所述取光宽度为所述取光结构的边缘上任意两点之间的最大距离
。
[0016]在示例性实施方式中，所述取光结构的取光高度为
2.0
μ
m
至
2.2
μ
m
，所述取光高度为所述取光结构远离所述显示结构层一侧的表面与所述取光结构靠近所述显示结构层一侧的表面之间的最大距离
。
[0017]在示例性实施方式中，所述覆盖层为有机材料，所述覆盖层的厚度与所述取光高度之差大于或等于
0.2
μ
m。
[0018]在示例性实施方式中，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述取光结构在显示基板平面上的正投影位于所述滤光层在显示基板平面上的正投影的范围之内
。
[0019]另一方面，本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板
。
[0020]又一方面，本公开还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
[0021]形成显示结构层；
[0022]在所述显示结构层上形成封装结构层，所述封装结构层至少包括提高出光效率的取光结构；
[0023]在所述封装结构层上形成彩膜结构层
。
[0024]本公开提供一种显示基板及其制备方法
、
显示装置，通过将取光结构设置在彩膜结构层靠近显示结构层的一侧，显示结构层的出射光线先由取光结构进行调制，然后再经过彩膜结构层，显示结构层的出射光线到达取光结构的光程较短，提升了出光效率，提高出光色域，提高显示品质
。
[0025]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面
。
附图说明
[0026]附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制
。
[0027]图1为一种硅基
OLED
显示装置的结构示意图；
[0028]图2为一种硅基
OLED
显示装置的平面结构示意图；
[0029]图3为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
[0030]图4为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图；
[0031]图5为本公开示例性实施例另一种显示基板的剖面结构示意图；
[0032]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示基板，其特征在于，包括显示结构层
、
设置在所述显示结构层上的封装结构层以及设置在所述封装结构层远离所述显示结构层一侧的彩膜结构层，所述封装结构层至少包括提高出光效率的取光结构
。2.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构层至少包括基底
、
设置在所述基底上的驱动电路层和设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的发光结构层，所述发光结构层至少包括阳极和设置在所述阳极远离所述基底一侧的像素定义层，所述像素定义层上设置有像素开口，所述像素开口暴露出所述阳极，所述像素开口在所述基底上的正投影位于所述取光结构在所述基底上的正投影的范围之内
。3.
根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述取光结构的取光面积为所述像素开口的开口面积的
1.4
倍至
1.6
倍，所述取光面积为所述取光结构在显示基板上正投影的面积，所述开口面积为所述像素开口在显示基板上正投影的面积
。4.
根据权利要求1至3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述封装结构层至少包括第一子层
、
设置在所述第一子层远离所述显示结构层一侧的第二子层
、
设置在所述第二子层远离所述显示结构层一侧的多个取光结构以及覆盖多个取光结构的覆盖层，所述取光结构的折射率大于所述覆盖层的折射率
。5.
根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的材料包括氮化硅，所述第一子层的厚度为
0.8
μ
m
至
1.2
μ
m。6.
根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第二子层的材料包括氧化铝，所述第二子层的厚度为
0.03
μ
m
至
0.05
μ
m。7.
根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述取光结构的折射率大于
1.92
，所述覆盖层的折射率小于或等于<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张云颢，卜维亮，余洪涛，闻林刚，吴操，黄冠达，陈小川，王辉，
申请(专利权)人：云南创视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：