包括盖结构的基底、包括基底的封装基底以及半导体装置制造方法及图纸

示例性实施方式提供一种包括盖结构的封装基底。封装基底包括：基底；半导体元件，该半导体元件被布置在基底的一个表面上；以及盖，该盖围绕半导体元件的至少一部分。盖包括具有比基底的外周缘更向外延伸的区域。比基底的外周缘更向外延伸的区域。比基底的外周缘更向外延伸的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括盖结构的基底、包括基底的封装基底以及半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2022年7月21日提交的美国专利申请号为17/870,177和2021年7月23日提交的美国临时专利申请号为63/225,038的优先权，出于所有目的，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]示例性实施方式涉及包括盖结构的基底、包括基底的封装基底以及包括封装基底的半导体装置。

技术介绍

[0004]封装基底被构造成保护半导体装置免受外部因素环境影响并且使半导体装置与诸如印刷电路板的其它部件良好地电连接。这种封装基底通常设置有将在操作期间产生的热量散发到外部的散热构件(盖、散热器、散热板)。
[0005]封装基底采用将从半导体装置的顶部、底部和侧面产生的热量散发到外部的散热器。散热器的传统结构由于其有限的散热特性而可能提供降低半导体装置寿命和可靠性的原因。
[0006]随着半导体装置的高功能化和高集成化，由于散热特性劣化引起的问题变得更加显著。考虑到这些问题，需要一种将半导体装置中产生的所有热量有效地散发到外部的新颖的方法。
[0007]此外，使用玻璃基底作为高端封装基底处的基部基底的优势在于，在半导体装置与印刷电路板之间的互连布线被缩短，并且可以获得优异的电气特性等，但这可能会增大在后续处理期间损坏的风险以及导致上述归因于散热性能差的问题。因此可能需要进一步改善封装基底的机械性能。
[0008]上述的
技术介绍
是专利技术人在得出示例性实施方式之前已经拥有的技术信息或者由专利技术人获得以得出示例性实施方式的技术信息，并且不一定被认为是在本专利技术的申请日之前为公众已知的技术。
[0009]在这方面，韩国专利第10
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1799645号中公开的“Lid for gas
‑
tight sealing,method for manufacturing the same and electronic component receiving package using the same(气密密封用盖、其制造方法及使用其的电子部件收纳封装体)”、以及韩国专利登记第10
‑
1242655号中公开的“Heat spreader structure,semiconductor package using the same and method for manufacturing the same(散热器结构、使用其的半导体封装体及其制造方法)”是本领域已知的。

技术实现思路

[0010]提供本概要以简化形式介绍一系列概念，这些概念将在下面的具体实施方式中进一步描述。本摘要内容不旨在识别要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用作
确定要求保护的主题的范围的帮助。
[0011]示例性实施方式的一个目的在于增强易受外部应力影响的封装基底的机械性能，同时提高封装基底的散热性能。
[0012]示例性实施方式的另一目的在于保护半导体装置免受诸如微小裂纹的损伤，同时使引起电气缺陷的因素的发生最小化。
[0013]示例性实施方式的另一目的在于使用专门设计的盖结构改善封装基底及其相关系统的可靠性。
[0014]根据示例性实施方式的包括盖结构的基底可以包括基部基底和盖结构，其中盖结构可以包括容纳元件的容纳空间、以及围绕容纳空间的至少一部分的框架，盖结构被布置在基部基底的一个表面上，以及盖结构被划分为内部区域和外部区域，并且其中，内部区域位于玻璃基底的一个表面上，而外部区域是盖结构中除内部区域之外的区域，并且外部区域被布置在基部基底的边缘之外的区域。
[0015]根据一个实施方式，盖结构的对角线长度可以大于基部基底的对角线长度。
[0016]根据一个实施方式，在包括盖结构的基底的一个边缘处测量的盖结构的长度可以比在同一边缘处测量的基部基底的长度大1％至10％。
[0017]根据一个实施方式，重分布层可以被布置在基部基底与容纳空间之间，并且基部基底的重量和重分布层的重量之和可以大于框架的重量。
[0018]根据一个实施方式，盖结构还可以包括围绕基部基底的侧表面的侧封闭部分。
[0019]根据一个实施方式，当基部基底和盖结构在25℃下热膨胀系数分别被定义为Cs和Cl时，比率Cl/Cs可以为0.02至1.2。
[0020]根据一个实施方式，盖结构可以具有50W/mK至425W/mK的热导率。
[0021]根据一个实施方式，盖结构可以具有12MPa至670MPa的抗拉强度。
[0022]根据一个实施方式，电力传输元件可以被嵌入基部基底中。
[0023]根据一个实施方式，盖结构还可以包括一个或更多个保持孔，该一个或更多个保持孔可以被布置在盖结构的外部区域中。
[0024]根据其他示例性实施方式的包括盖结构的基底可以包括基部基底和盖结构，其中盖结构包括容纳元件的容纳空间、以及围绕容纳空间的至少一部分的框架，并且盖结构被布置在基部基底的一个表面上。盖结构的对角线长度可以大于基部基底的对角线长度。基部基底可以为玻璃基底。
[0025]根据一个实施方式，在包括盖结构的基底的一个边缘处测量的盖结构的长度可以比在同一边缘处测量的基部基底的长度大0％至10％。
[0026]根据一个实施方式，当基部基底和盖结构在25℃下的热膨胀系数分别被定义为Cs和Cl时，比率Cl/Cs可以为0.02至1.2。
[0027]根据一个实施方式，盖结构可以具有50W/mK至425W/mK的热导率。
[0028]根据一个实施方式，盖结构可以具有12MPa至670MPa的抗拉强度。
[0029]根据一个实施方式，电力传输元件可以被嵌入基部基底中。
[0030]根据一个实施方式，框架还可以包括一个或更多个保持孔，该一个或更多个保持孔可以被布置在盖结构中。
[0031]根据一个实施方式，盖结构和基部基底还可以包括一个或更多个保持孔，该一个
或更多个保持孔可以被布置成穿过盖结构和基部基底。
[0032]根据示例性实施方式的封装基底可以包括：包括盖结构的基底和元件，其中元件被容纳在内部空间中。
[0033]根据一个实施方式，盖结构还可以包括对元件的顶部表面进行封闭的顶部表面封闭部分。
[0034]根据一个实施方式，盖结构的高度可以与元件的顶部表面的高度相同，或者盖结构的高度可以与元件的顶部表面的高度相差10μm或更小。
[0035]根据一个实施方式，被限定在框架与元件之间的间隙的最大宽度可以为10μm至50000μm。
[0036]根据示例性实施方式的半导体器件可以包括：包括盖结构的基底；至少一个元件，该至少一个元件被布置在容纳空间中；以及印刷电路板，该印刷电路板连接到包括盖结构的基底。
附图说明
[0037]图1A和图1B为分别示出根据示例性实施方式的包括盖框架的基底的示例的透视图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基底，包括：基部基底；以及盖结构，其中，所述盖结构包括：对元件进行容纳的容纳空间；以及围绕所述容纳空间的至少一部分的框架，所述盖结构被布置在所述基部基底的一个表面上，所述盖结构被划分为内部区域和外部区域，其中，所述内部区域被设置在所述基部基底的一个表面上，而所述外部区域是所述盖结构中除所述内部区域之外的区域，并且所述外部区域被布置在所述基部基底的边缘之外的区域中。2.根据权利要求1所述的基底，其中，所述盖结构的对角线长度大于所述基部基底的对角线长度。3.根据权利要求1所述的基底，其中，在包括所述盖结构的所述基底的一个边缘处测量的所述盖结构的长度比在同一边缘处测量的所述基部基底的长度大1％至10％。4.根据权利要求1所述的基底，其中，重分布层被布置在所述基部基底与所述容纳空间之间，并且所述基部基底的重量和所述重分布层的重量之和大于所述框架的重量。5.根据权利要求1所述的基底，其中，所述盖结构还包括侧封闭部分，所述侧封闭部分围绕所述基部基底的侧表面。6.根据权利要求1所述的基底，其中，所述基部基底和所述盖结构在25℃下的热膨胀系数分别被定义为Cs和Cl，比率Cl/Cs为0.02至1.2。7.根据权利要求1所述的基底，其中，所述盖结构具有50W/mK至425W/mK的热导率。8.根据权利要求1所述的基底，其中，所述盖结构具有12MPa至670MPa的抗拉强度。9.根据权利要求1所述的基底，其中，所述框架还包括一个或更多个保持孔，所述一个或更多个保持孔被布置在所述盖结构的所述外部区域中。10.一种基底，包括：基...

【专利技术属性】
技术研发人员：金性振，金镇哲，
申请(专利权)人：爱玻索立克公司，
类型：发明
国别省市：