封装基板、半导体封装件、封装基板制备方法以及半导体封装件制备方法技术

提供了一种封装基板。该封装基板包括不具有空腔的第一区域和具有空腔的第二区域。第一区域具有彼此面对的第一表面与第二表面，并且第二区域的空腔结构包括空腔空间、接触表面及侧壁。接触表面设置成与空腔结构的开口相对。接触表面的表面粗糙度的值为第一区域的第一表面的表面粗糙度的值的约三倍。表面的表面粗糙度的值的约三倍。表面的表面粗糙度的值的约三倍。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装基板、半导体封装件、封装基板制备方法以及半导体封装件制备方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年8月30日提交的美国临时专利申请第63/238,308号的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文，用于所有目的。


[0003]以下描述涉及封装基板、半导体封装件、封装基板制备方法及半导体封装件制备方法。

技术介绍

[0004]在电子部件的制作中，在半导体芯片上实现电路称为前道制程(FE)，组装芯片使其可以实际用于产品中称为后道制程(BE)，后道制程包括封装制程。
[0005]近来，可实现电子产品快速发展的半导体产业四大核心技术是半导体技术、半导体封装件技术、制造制程技术和软件技术。半导体技术正在以微米以下的纳米单位的线宽、千万个以上的单元、高速运行、大量散热等多种形式发展，但是得不到完美的封装技术的支持。据此，认为半导体的电性能可以由封装技术和相应的电连接决定，而不是半导体技术本身的性能。
[0006]作为封装基板的材料适用陶瓷或者树脂。在诸如硅基板的陶瓷基板的情况下，电阻值高或者介电常数高，因此不容易搭载高性能高频的半导体元件。在树脂基板的情况下，虽然相对能够搭载高性能高频元件，但是在缩小布线间距方面存在局限性。
[0007]近来，硅或者玻璃可以应用于高端封装基板。在硅或者玻璃基板上形成贯通孔，将导电材料应用于该贯通孔，可以缩小元件与主板之间的导线长度，可具有优秀的电特性。
[0008]另外，在半导体封装件运行时可产生热，因此附加地实现释放这种热的散热装置。

技术实现思路

[0009]提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍在下面的详细描述中进一步描述的概念的选择。本
技术实现思路
不旨在识别要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不旨在用作确定要求保护的主题的范围的帮助。
[0010]在一般方面，封装基板为包括第一区域及第二区域，其中第一区域为第一区域为未设置空腔结构的区域，第二区域为设置空腔结构的区域，第一区域被配置成具有设置成彼此面对的第一表面与第二表面空腔结构包括空腔空间、接触表面及侧壁，空腔空间为空腔结构的凹陷中的空间，并且空腔空间包括设置在空腔结构的上部和下部中的一者中的开口，接触表面为设置成与空腔结构的开口相对的表面，侧壁为包围接触表面的壁，并且接触表面的表面粗糙度的值为第一区域的第一表面的表面粗糙度的值的约三倍。
[0011]第一区域和第二区域可以布置成彼此邻近。
[0012]接触表面的表面粗糙度可以等于或小于20nm。
[0013]侧壁可以被配置成连接第一区域的第一表面与接触表面，并且侧壁可以被配置成以与第一区域的第二表面平行的线为准具有75度至100度的角度。
[0014]第一区域中的基板可以包括玻璃基板，第二区域中的基板包括玻璃基板，并且第一区域中的玻璃基板和第二区域中的玻璃基板彼此连接。
[0015]第二区域可以具有设置成彼此面对的第一表面与第二表面，并且第二区域的第一表面与第二区域的第二表面之间的第一距离为第一区域的第一表面与第一区域的第二表面之间的第二距离的0.3至0.7倍。
[0016]第一距离可以等于或大于100μm。
[0017]第二区域可以包括框架，并且框架被配置成将空腔空间区分为两个或更多个区域。
[0018]第二区域还可以包括空腔孔，空腔孔贯通封装基板。
[0019]一种半导体封装件可以包括封装基板；上部再布线层，上部再布线层设置在第一区域的第一表面上；及连接装置，连接装置设置在第二区域的第二表面下。
[0020]在空腔空间中可以设置有无源元件。
[0021]其他特征和方面将从以下详细描述、附图和权利要求中显而易见。
附图说明
[0022]图1是说明根据一个或更多个实施方式的示例封装基板的立体图。
[0023]图2是说明图1的A
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A'剖面的概念图。
[0024]图3是说明图1的A
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A'剖面的另一概念图。
[0025]图4是说明根据一个或更多个实施方式的示例封装基板的立体图。
[0026]图5是说明图4的B
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B'剖面的概念图。
[0027]图6是说明根据一个或更多个实施方式的示例封装基板的立体图。
[0028]图7是说明图6的X
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X'剖面的概念图。
[0029]图8是斜线看根据一个实施方式制造的封装基板的图。
[0030]图9是被制造到根据一个或更多个实施方式的封装基板中的玻璃基板的第一次蚀刻之前的表面的AFM分析结果。
[0031]图10是根据一个或更多个实施方式的图9的玻璃基板的第一次蚀刻之后的表面的AFM分析结果。
[0032]图11是根据一个或更多个实施方式的观察在玻璃基板的激光照射之后进行蚀刻处理的表面的照片。
[0033]在整个附图和详细描述中，相同的附图标记可以指相同或相似的元件。附图可能不是按比例的，并且为了清楚、说明和方便起见，可能夸大了附图中元件的相对大小、比例和描绘。
具体实施方式
[0034]提供以下详细描述以帮助读者全面理解本文描述的方法、装置和/或系统。然而，在理解本申请的公开内容之后，本文描述的方法、装置和/或系统的各种改变、修改和等同物将是显而易见的。例如，本文描述的操作顺序仅仅是示例，并且不限于本文阐述的那些，
而是可以改变，如在理解本申请的公开内容之后将显而易见的，除了必须以特定顺序发生的操作。此外，在理解本申请的公开内容之后，可以省略已知特征的描述以增加清晰度和简明性，注意特征和它们的描述的省略也不旨在承认它们的常识。
[0035]本文描述的特征可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文描述的示例。更确切的说，提供本文描述的示例仅是为了说明实现本文描述的方法、装置和/或系统的许多可能方式中的一些，这些方式在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的。
[0036]尽管诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在本文中用于描述各种构件、部件、区域、层或区段，但这些构件、部件、区域、层或区段不应受这些术语的限制。更确切的说，这些术语仅用于将一个构件、部件、区域、层或区段与另一构件、部件、区域、层或区段区分开来。因此，在不脱离示例的教导的情况下，本文描述的示例中提及的第一构件、部件、区域、层或区段也可称为第二构件、部件、区域、层或区段。
[0037]在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在另一个元件上”、“连接到另一个元件”或“耦接到另一个元件”时，它可以直接“在另一个元件上”、“连接到另一个元件”，”或“耦接到另一个元件”，或者可能有一个或更多个其他元件介于它们之间。相比之下，当元件被描述为“直接在另一个元件上”、“直接连接到另一个元件”或“直接耦接到另一个元件”时，它们之间不能有其他元件插入。同样地，诸如“在......之间”和“紧接在......之间”和“邻近”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装基板，包括：第一区域及第二区域，其中：所述第一区域为未设置空腔结构的区域，所述第二区域为设置所述空腔结构的区域，所述第一区域被配置成具有设置成彼此面对的第一表面与第二表面，所述空腔结构包括空腔空间、接触表面及侧壁，所述空腔空间为所述空腔结构的凹陷的空间，并且所述空腔空间包括设置在所述空腔结构的上部和下部中的一者中的开口，所述接触表面为设置成与所述空腔空间的所述开口相对的表面，所述侧壁为包围所述接触表面的壁，并且所述接触表面的表面粗糙度的值为所述第一区域的所述第一表面的表面粗糙度的值的约三倍。2.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述第一区域和所述第二区域布置成彼此邻近。3.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述接触表面的表面粗糙度等于或小于20nm。4.根据权利要求1所述的封装基板，其中：所述侧壁被配置成连接所述第一区域的第一表面与所述接触表面，并且所述侧壁被配置成以与所述第一区域的第二表面平行的线为准具有75度至100度的角度。5.根据权利要求1所述的封装基板，其中：所述第一区域中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金性振，
申请(专利权)人：爱玻索立克公司，
类型：发明
国别省市：