【技术实现步骤摘要】
一种新型IGBT器件
[0001]本技术涉及IGBT器件
,具体为一种新型IGBT器件。
技术介绍
[0002]IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大,MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
[0003]IGBT器件一般安装在电路板上,而IGBT器件内部的芯片板大多都是通过螺栓固定在IGBT器件的内部,不便于对芯片板的外壳进行拆卸,当IGBT器件发生损坏时,需要将整个IGBT器件进行拆卸更换,同时IGBT器件长时间的裸露在电路板的表面,容易堆积大量的灰尘,从而降低了其的使用寿命。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种新型IGBT器件,不仅可以对IGBT器件进行防尘和保护,同时还方便对芯片板的外壳进行拆卸,从而方便对IGBT器件进行维修更换,解决了目前的IGBT器件无法进 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种新型IGBT器件,包括器件本体(1),其特征在于:所述器件本体(1)顶部右侧的前后方均固定连接有限位杆(2),所述器件本体(1)的顶部铰接有防尘壳(3),所述防尘壳(3)右侧的前后方均固定连接有弹性夹片(4),所述器件本体(1)的内部开设有空腔(5),所述空腔(5)的内部设置有芯片电路板(7),所述空腔(5)内腔两侧的前后方均固定连接有弹簧(6),所述弹簧(6)的上方设置有盖板(8),所述器件本体(1)左右两侧的前后方均设置有凹板(9),所述凹板(9)内腔的前后方均开设有滑槽(10),所述凹板(9)的内部设置有滑板(11),所述滑板(11)的前后方均固定连接有滑块(12),所述滑块(12)与滑槽(10)的内部滑动连接。2.根据权利要求1所述的一种新型IGBT器件,其特征在于:...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡彬,
申请(专利权)人:江苏东海半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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