光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置及系统制造方法及图纸

为解决现有技术中存在的由于光刻胶的涂布和边缘光刻胶的去除在不同的设备单元中进行，提高生产规模时设备占用面积增大导致在有限的工厂面积同等生产规模的产量减小的技术问题，本发明专利技术实施例提供一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置及系统，包括：喷涂臂，设有若干个喷涂装置；以及若干个喷涂装置，用于向涂布机上的晶圆喷涂，至少有一个喷涂装置为用于去除晶圆边缘的光刻胶的EBR喷涂装置，至少有一个喷涂装置为PR喷涂装置；EBR喷涂装置设于喷涂臂上与晶圆边缘相对应的位置。从而，本发明专利技术实施例一方面提升了晶圆生产效率，另一方面可在有限的工厂面积内比现有技术更多的进行布置光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置，从而提高生产产能。生产产能。生产产能。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置及系统


[0001]本专利技术涉及一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置及系统。

技术介绍

[0002]光刻胶(Photo Resist，PR)向晶圆(Wafer)进行涂布的方式是：向旋转中的晶圆喷射光刻胶来进行涂布的。去除晶圆边缘的光刻胶的工艺称为EBR(Edge Back Rinse)，用于去除晶圆边缘的光刻胶。
[0003]基于此，目前的涂布设备单元分为PR设备单元和EBR设备单元，即光刻胶的涂布和边缘光刻胶的去除在不同的设备单元中进行。目前半导体的光浸没式工艺，为了提高产能，在增加设备大小的同时通过追加工艺单元的方式来实现。然而，在有限的工厂面积中，装备的变大会减少装备的设置空间，减少同等生产规模的产量。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术中存在的由于光刻胶的涂布和边缘光刻胶的去除在不同的设备单元中进行，提高生产规模时设备占用面积增大导致在有限的工厂面积同等生产规模的产量减小的技术问题，本专利技术实施例提供一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置及系统。
[0005]本专利技术实施例通过下述技术方案实现：
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置，包括：
[0007]喷涂臂，设有若干个喷涂装置；以及
[0008]若干个喷涂装置，用于向涂布机上的晶圆喷涂，至少有一个喷涂装置为用于去除晶圆边缘的光刻胶的EBR喷涂装置，至少有一个喷涂装置为用于喷涂光刻胶的PR喷涂装置；
[0009]EBR喷涂装置设于喷涂臂上与晶圆边缘相对应的位置。
[0010]进一步的，所述喷涂装置包括喷嘴；若干个喷嘴均设于喷涂臂上，若干个喷涂装置包括至少一个喷嘴为PR喷涂喷嘴，至少一个为EBR喷涂喷嘴。
[0011]进一步的，每个PR喷涂喷嘴与通过真空泵与PR存储容器连接；每个EBR喷涂喷嘴通过阀门与EBR压力容器连接。
[0012]第二方面，本专利技术实施例提供一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除系统，包括：
[0013]若干个所述装置；以及
[0014]若干个涂布机，用于放置晶圆以使涂布机上的晶圆旋转；
[0015]相邻两个涂布机共用一个所述装置。
[0016]进一步的，所述系统还包括：
[0017]喷涂控制系统，用于分别与涂布机、所述装置的喷涂臂、PR喷涂装置和EBR喷涂装置连接。
[0018]第三方面，本专利技术实施例提供一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置，包括：
[0019]第一喷涂臂，设有用于喷涂光刻胶的PR喷涂装置；
[0020]第二喷涂臂，设有用于去除晶圆边缘的光刻胶的EBR喷涂装置；以及
[0021]EBR喷涂装置设于第二喷涂臂上与晶圆边缘相对应的位置。
[0022]进一步的，PR喷涂装置包括PR喷涂喷嘴；PR喷涂喷嘴设于第一喷涂臂；EBR喷涂装置包括EBR喷涂喷嘴；EBR喷涂喷嘴设于第二喷涂臂。
[0023]进一步的，PR喷涂喷嘴与通过真空泵与PR存储容器连接；EBR喷涂喷嘴通过阀门与EBR压力容器连接。
[0024]第四方面，本专利技术实施例提供一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除系统，包括：
[0025]若干个所述装置；以及
[0026]若干个涂布机，用于放置晶圆以使涂布机上的晶圆旋转；
[0027]相邻两个涂布机共用一个所述装置的第一喷涂臂，相应的每个涂布机设有一个所述第二喷涂臂。
[0028]进一步的，还包括：EBR喷涂控制系统，用于分别与第二喷涂臂、EBR喷涂装置和EBR涂布机连接；还包括：PR喷涂控制系统，用于分别与第一喷涂臂、PR喷涂装置和涂布机连接。
[0029]本专利技术实施例与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
[0030]本专利技术实施例的光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置及系统，通过整合现有的PR涂布工序和EBR工序，将PR涂布工序和EBR工序整合成一个工序完成光刻胶涂布和去除晶圆边缘的光刻胶，从而，精简了现有的PR涂布工序和EBR工序所需的设备以及操作步骤，一方面提升了晶圆生产效率，另一方面可在有限的工厂面积内比现有技术更多的进行布置光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置，从而提高生产产能。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术示例性实施方式的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0032]图1为现有的光刻胶涂布装置结构示意图。
[0033]图2为实施例1的光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置的结构原理示意图。
[0034]图3为实施例1的光刻胶涂布和边缘光刻胶去除系统的结构原理示意图。
[0035]图4为实施例2的光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置的结构原理示意图。
[0036]图5为实施例2的光刻胶涂布和边缘光刻胶去除系统的结构原理示意图。
[0037]附图中标记及对应的零部件名称：
[0038]201
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PR喷涂臂，202
‑
晶圆，301
‑
喷涂臂，302
‑
PR喷涂喷嘴，303
‑
EBR喷涂喷嘴，1
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第一晶圆，2
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第二晶圆，3
‑
PR喷嘴位置范围，4
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共用喷涂臂，5
‑
EBR喷嘴位置范围，101
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EBR喷涂臂，102
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PR喷涂臂，103
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EBR喷涂喷嘴位置，104
‑
放置晶圆位置，6
‑
第一EBR喷涂臂，7
‑
第一晶圆位置，8
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第一PR喷涂臂，9
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第二晶圆位置，10
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第二PR喷涂喷嘴位置范围，11
‑
第二EBR喷涂臂，12
‑
第一EBR喷涂喷嘴位置范围，13
‑
第二EBR喷涂喷嘴位置范围，14
‑
第一PR喷涂喷嘴位置范围。
具体实施方式
[0039]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本
专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。
[0040]在以下描述中，为了提供对本专利技术的透彻理解阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实行本专利技术。在其他实施例中，为了避免混淆本专利技术，未具体描述公知的结构、电路、材料或方法。
[0041]在整个说明书中，对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”或“示例”的提及意味着：结合该实施例或示例描述的特定特征、结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置，其特征在于，包括：喷涂臂，设有若干个喷涂装置；以及若干个喷涂装置，用于向涂布机上的晶圆喷涂，至少有一个喷涂装置为用于去除晶圆边缘的光刻胶的EBR喷涂装置，至少有一个喷涂装置为用于喷涂光刻胶的PR喷涂装置；EBR喷涂装置设于喷涂臂上与晶圆边缘相对应的位置。2.如权利要求1所述光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置，其特征在于，所述喷涂装置包括喷嘴；若干个喷嘴均设于喷涂臂上，若干个喷涂装置包括至少一个喷嘴为PR喷涂喷嘴，至少一个为EBR喷涂喷嘴。3.如权利要求2所述光刻胶涂布和边缘光刻胶去除装置，其特征在于，每个PR喷涂喷嘴与通过真空泵与PR存储容器连接；每个EBR喷涂喷嘴通过阀门与EBR压力容器连接。4.一种光刻胶涂布和边缘光刻胶去除系统，其特征在于，包括：若干个权利要求1
‑
3任意一项所述装置；以及若干个涂布机，用于放置晶圆以使涂布机上的晶圆旋转；相邻两个涂布机共用一个所述装置。5.如权利要求4所述光刻胶涂布和边缘光刻胶去除系统，其特征在于，还包括：喷涂控制系统，用于分别与涂布机、所述装置的喷涂臂、PR喷涂装置和EBR喷涂装置连接。6.一种光刻胶涂布和边缘光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张成根，林锺吉，金在植，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：