半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间且覆盖所述电容转接结构顶面的隔离层；去除覆盖于所述电容转接结构顶面的所述隔离层，暴露所述电容转接结构；氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面，形成氧化层；去除所述氧化层，暴露所述电容转接结构。本发明专利技术减少了电容转接结构表面的缺陷，且避免了相邻电容转接结构之间短路的问题，从而改善了半导体结构的电性能。从而改善了半导体结构的电性能。从而改善了半导体结构的电性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括用于存储电荷的电容器和存取电容器的晶体管。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
[0003]所述电容器通过电容基板中的电容转接结构与所述漏极连接。但是，由于当前制造工艺的限制，电容基板表面易产生缺陷，且相邻的电容转接结构之间易发生短路。
[0004]因此，如何减少电容基板表面的缺陷，并避免相邻电容转接结构之间的短路，以提高半导体结构的电性能，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种半导体结构及其形成方法，用于解决现有的电容基本表面易产生缺陷且相邻的电容转接结构之间易发生短路的问题，以提高半导体结构的电性能。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤：
[0007]形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间且覆盖所述电容转接结构顶面的隔离层；
[0008]去除覆盖于所述电容转接结构顶面的所述隔离层，暴露所述电容转接结构；
[0009]氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面，形成氧化层；
[0010]去除所述氧化层，暴露所述电容转接结构。
[0011]可选的，形成电容基板的具体步骤包括：
[0012]提供衬底，所述衬底内具有多个电容接触区；
[0013]形成多个电容转接结构于所述衬底表面，且多个所述电容转接结构与多个所述电容接触区一一对应电连接；
[0014]形成填充满相邻所述电容转接结构之间的间隙并覆盖所述电容转接结构顶面的隔离层。
[0015]可选的，去除覆盖于所述电容转接结构顶面的所述隔离层的具体步骤包括：
[0016]采用干法刻蚀工艺刻蚀所述隔离层。
[0017]可选的，所述隔离层的材料为氮化物材料；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述隔离层的具体步骤还包括：
[0018]采用CF4、CHF3和O2的混合气体作为刻蚀气体刻蚀所述隔离层。
[0019]可选的，氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面的具体步骤包括：
[0020]采用O2等离子体氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面。
[0021]可选的，采用O2等离子体氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面时的反应温度为25℃～300℃。
[0022]可选的，采用O2等离子体氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面的具体步骤包括：
[0023]传输至少包括O2等离子体和H2N2等离子体的混合气体等离子体至暴露有所述电容转接结构的所述电容基板表面。
[0024]可选的，所述混合气体等离子体的流量为100sccm～15000sccm，所述混合气体等离子体的压力为10mtorr～10000mtoor。
[0025]可选的，传输至少包括O2等离子体和H2N2等离子体的混合气体等离子体至暴露有所述电容转接结构的所述电容基板表面的具体步骤包括：
[0026]采用100W～10000W的射频功率电离包括O2和H2N2的混合气体，形成混合气体等离子体；
[0027]传输所述混合气体等离子体至暴露有所述电容转接结构的所述电容基板表面。
[0028]可选的，去除所述氧化层的具体步骤包括：
[0029]清洗所述电容基板。
[0030]可选的，清洗所述电容基板的具体步骤包括：
[0031]采用DHF溶液清洗所述电容基板。
[0032]可选的，DHF溶液中HF与H2O的体积比为(10:1)～(1000:1)。
[0033]可选的，去除所述氧化层的具体步骤包括：
[0034]采用湿法刻蚀工艺去除所述氧化层。
[0035]可选的，采用湿法刻蚀工艺去除所述氧化层的具体步骤包括：
[0036]选择对所述氧化层和所述电容转接结构的刻蚀选择比大于或者等于10:1的湿法刻蚀剂去除所述氧化层。
[0037]可选的，所述电容转接结构的材料为金属材料；采用湿法刻蚀工艺去除所述氧化层的具体步骤包括：
[0038]采用碱性溶液作为湿法刻蚀剂去除所述氧化层。
[0039]可选的，采用碱性溶液作为湿法刻蚀剂去除所述氧化层的具体步骤包括：
[0040]采用NH4OH与H2O的混合溶液作为湿法刻蚀剂去除所述氧化层。
[0041]可选的，所述湿法刻蚀剂中NH4OH与H2O的体积比为(5:1)～(1000:1)。
[0042]可选的，去除所述氧化层之后，还包括如下步骤：
[0043]干燥所述电容基板。
[0044]可选的，干燥所述电容基板的具体步骤包括：
[0045]采用氮气和异丙醇的混合气体吹扫所述电容基板。
[0046]为了解决上述问题，本专利技术还提供了一种半导体结构，采用如上述任一项所述的半导体结构的形成方法形成。
[0047]本专利技术提供的半导体结构及其形成方法，在去除隔离层并暴露电容转接结构的顶面之后，采用氧化的方式氧化所述电容转接结构的表面以及残留于电容转接结构表面的导电颗粒物，使得所述电容基板表面材料均一，去除所述氧化层之后，所述电容转接结构表面的缺陷、以及所述电容转接结构表面和所述隔离层表面残留的颗粒物均可以去除，减少了
电容转接结构表面的缺陷，且避免了相邻电容转接结构之间短路的问题，从而改善了半导体结构的电性能。
附图说明
[0048]附图1是本专利技术具体实施方式中半导体结构的形成方法流程图；
[0049]附图2A
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2D是本专利技术具体实施方式在形成半导体结构的过程中主要的工艺截面示意图；
[0050]附图3A
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3D是本专利技术具体实施方式在形成氧化层的过程中主要的工艺截面示意图；
[0051]附图4A
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4E是本专利技术具体实施方式在去除氧化层的过程中主要的工艺截面示意图。
具体实施方式
[0052]下面结合附图对本专利技术提供的半导体结构及其形成方法的具体实施方式做详细说明。
[0053]本具体实施方式提供了一种半导体结构的形成方法，附图1是本专利技术具体实施方式中半导体结构的形成方法流程图，附图2A
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2D是本专利技术具体实施方式在形成半导体结构的过程中主要的工艺截面示意图。如图1、图2A
‑
图2D所示，所述半导体结构的形成方法，包括如下步骤：
[0054]步骤S11，形成电容基板2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间且覆盖所述电容转接结构顶面的隔离层；去除覆盖于所述电容转接结构顶面的所述隔离层，暴露所述电容转接结构；氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面，形成氧化层；去除所述氧化层，暴露所述电容转接结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成电容基板的具体步骤包括：提供衬底，所述衬底内具有多个电容接触区；形成多个电容转接结构于所述衬底表面，且多个所述电容转接结构与多个所述电容接触区一一对应电连接；形成填充满相邻所述电容转接结构之间的间隙并覆盖所述电容转接结构顶面的隔离层。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除覆盖于所述电容转接结构顶面的所述隔离层的具体步骤包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀所述隔离层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氮化物材料；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述隔离层的具体步骤还包括：采用CF4、CHF3和O2的混合气体作为刻蚀气体刻蚀所述隔离层。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面的具体步骤包括：采用O2等离子体氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面。6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用O2等离子体氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面时的反应温度为25℃～300℃。7.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用O2等离子体氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面的具体步骤包括：传输至少包括O2等离子体和H2N2等离子体的混合气体等离子体至暴露有所述电容转接结构的所述电容基板表面。8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述混合气体等离子体的流量为100sccm～15000sccm，所述混合气体等离子体的压力为10mtorr～10000mtoor。9.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，传输至少包括O2等离子体和H2N2等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：王沛萌，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：