半导体结构的制作方法及半导体结构技术

本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包括，提供初始结构，初始结构包括衬底以及初始字线结构，初始字线结构包括初始导电结构；形成隔离沟槽，被保留的部分衬底被隔离沟槽隔离形成多个相互独立的有源区结构，有源区结构覆盖初始字线结构的第一部分，隔离沟槽暴露出初始字线结构的第二部分；去除部分初始字线结构的第二部分，被有源区结构覆盖的初始导电结构的底面低于被保留的初始字线结构的第二部分的初始导电结构的底面。在本公开中通过去除位于隔离沟槽中的部分初始导电结构，减小了有源区结构中的初始导电结构之间的相邻干扰。电结构之间的相邻干扰。电结构之间的相邻干扰。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法及半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]存储器矩阵中的一条字线被激活并反复刷新(refresh)时，会对邻近的字线产生噪声或干扰。在位于邻近的字线的存储单元(Cell)被激活或被刷新之前，若字线的激活频率过多，导致邻近的存储器单元出现电荷损失(Charge Loss)或漏电(Leakage)的问题。进而造成位于邻近字线一个或多个存储单元的数据(Data)发生错误，这种现象被称为行锤击效应(RowHammer Effect)。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构。
[0005]本公开的第一方面提供一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：
[0006]提供初始结构，所述初始结构包括衬底以及埋入设置在所述衬底中的多条相互平行的初始字线结构，所述初始字线结构包括初始导电结构；
[0007]去除部分所述衬底和部分所述初始字线结构，形成隔离沟槽，被保留的部分所述衬底被所述隔离沟槽隔离形成多个相互独立的有源区结构，所述有源区结构覆盖所述初始字线结构的第一部分，所述隔离沟槽暴露出所述初始字线结构的第二部分；
[0008]去除所述初始字线结构的第二部分中的部分所述初始导电结构，被所述有源区结构覆盖的所述初始导电结构的底面低于被保留的所述初始字线结构的第二部分的所述初始导电结构的底面。
[0009]根据本公开的一些实施例，所述去除部分所述衬底和部分所述初始字线结构，包括：
[0010]去除所述衬底的第一中间部分的部分结构和部分所述初始字线结构，形成中间沟槽，所述中间沟槽暴露出部分所述初始导电结构的第一预设部分，被保留的所述衬底的第一中间部分形成多个相互独立的中间结构；
[0011]去除所述衬底的第二中间部分的部分结构，形成第三沟槽，所述第三沟槽暴露出所述初始导电结构的第二预设部分，被保留的所述衬底的第二中间部分和所述中间结构共同构成多个相互独立的所述有源区结构，所述中间沟槽和所述第三沟槽共同构成所述隔离沟槽。
[0012]根据本公开的一些实施例，所述初始字线结构还包括形成于所述衬底与所述初始导电结构之间的初始阻挡结构；
[0013]所述去除所述衬底的第一中间部分的部分结构和部分所述初始字线结构，形成中间沟槽，包括：
[0014]去除所述衬底位于所述初始字线结构顶面之上的部分结构，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述初始字线结构的第二部分的顶面；
[0015]去除覆盖所述初始导电结构的第一预设部分的所述衬底，以及去除覆盖所述初始导电结构的第一预设部分的所述初始阻挡结构，形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露所述初始导电结构的第一预设部分，所述第一沟槽和所述第二沟槽共同构成所述中间沟槽。
[0016]根据本公开的一些实施例，所述初始字线结构顶面之上保留的所述衬底形成多个独立设置的岛型结构；所述去除覆盖所述初始导电结构的第一预设部分的所述衬底，包括：
[0017]以所述岛型结构和所述初始字线结构的第二部分的顶面为掩膜，去除覆盖所述初始导电结构的第一预设部分的所述衬底。
[0018]根据本公开的一些实施例，去除所述衬底的第二中间部分的部分结构，包括：
[0019]以所述中间结构和所述初始字线结构为掩膜，采用纵向刻蚀工艺部分去除所述衬底的第二中间部分，暴露出所述初始导电结构的第二预设部分。
[0020]根据本公开的一些实施例，所述去除所述衬底的第二中间部分的部分结构，还包括：
[0021]采用横向刻蚀工艺，去除被所述初始字线结构的第二部分覆盖的所述衬底的第二中间部分。
[0022]根据本公开的一些实施例，所述去除所述初始字线结构的第二部分中的部分所述初始导电结构，包括：
[0023]形成填充于所述隔离沟槽的第一介质层，所述第一介质层的顶面与所述初始字线结构的下表面平齐；
[0024]去除所述初始字线结构的第二部分中覆盖所述初始导电结构的第二预设部分的所述初始阻挡结构，以及所述初始导电结构的第二预设部分。
[0025]根据本公开的一些实施例，所述去除所述初始字线结构的第二部分中的部分所述初始导电结构之后，包括：
[0026]形成第二介质层，所述第二介质层填充所述隔离沟槽，所述第二介质层的顶面和所述有源区结构的顶面平齐，所述第一介质层和所述第二介质层共同构成隔离结构。
[0027]根据本公开的一些实施例，在所述去除部分所述衬底的第一中间部分和部分所述初始字线结构之后、所述去除部分所述衬底的第二中间部分的部分结构之前，包括：
[0028]形成保护层，所述保护层至少覆盖所述初始导电结构的第一预设部分。
[0029]根据本公开的一些实施例，所述在所述去除部分所述衬底的第一中间部分和部分所述初始字线结构之前，包括：
[0030]形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述初始结构的部分顶面，所述掩膜层在所述初始结构上的投影为呈平行阵列排布的多个岛型图形。
[0031]根据本公开的一些实施例，所述提供初始结构，包括：
[0032]提供初始衬底；
[0033]去除部分初始衬底，形成字线沟槽；
[0034]形成初始栅极氧化层，所述初始栅极氧化层覆盖所述字线沟槽；
[0035]形成初始阻挡结构，所述初始阻挡结构覆盖所述初始栅极氧化层；
[0036]形成初始导电结构，所述初始导电结构填充于所述初始阻挡结构内侧，且所述初始导电结构的顶面低于所述初始衬底的顶面；
[0037]形成初始绝缘结构，所述初始绝缘结构覆盖所述初始导电结构的顶面，所述绝缘结构的顶面和所述初始衬底的顶面平齐；
[0038]所述初始栅极氧化层、所述初始阻挡结构、所述初始导电结构和所述初始绝缘结构形成所述初始字线结构。
[0039]本公开的第二方面提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：
[0040]基底，所述基底上设置有多个相互独立设置的有源区结构；
[0041]隔离结构，所述隔离结构位于多个所述有源区结构之间；
[0042]字线结构，所述字线结构包括导电结构，所述导电结构包括设置在所述有源区结构中的接触部以及设置在所述隔离结构中的连接部，所述导电结构的接触部的底面低于所述导电结构的连接部的底面。
[0043]根据本公开的一些实施例，所述字线结构还包括第一阻挡结构，所述第一阻挡结构设置在所述导电结构的接触部和所述有源区结构之间。
[0044]根据本公开的一些实施例，所述字线结构包括绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述导电结构的接触部的顶面，所述绝缘结构的顶面和所述有源区结构的顶面平齐。
[0045]根据本公开的一些实施例，所述字线结构还包括第二阻挡结构，所述第二阻挡结构至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供初始结构，所述初始结构包括衬底以及埋入设置在所述衬底中的多条相互平行的初始字线结构，所述初始字线结构包括初始导电结构；去除部分所述衬底和部分所述初始字线结构，形成隔离沟槽，被保留的部分所述衬底被所述隔离沟槽隔离形成多个相互独立的有源区结构，所述有源区结构覆盖所述初始字线结构的第一部分，所述隔离沟槽暴露出所述初始字线结构的第二部分；去除所述初始字线结构的第二部分中的部分所述初始导电结构，被所述有源区结构覆盖的所述初始导电结构的底面低于被保留的所述初始字线结构的第二部分的所述初始导电结构的底面。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述去除部分所述衬底和部分所述初始字线结构，包括：去除所述衬底的第一中间部分的部分结构和部分所述初始字线结构，形成中间沟槽，所述中间沟槽暴露出部分所述初始导电结构的第一预设部分，被保留的所述衬底的第一中间部分形成多个相互独立的中间结构；去除所述衬底的第二中间部分的部分结构，形成第三沟槽，所述第三沟槽暴露出所述初始导电结构的第二预设部分，被保留的所述衬底的第二中间部分和所述中间结构共同构成多个相互独立的所述有源区结构，所述中间沟槽和所述第三沟槽共同构成所述隔离沟槽。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述初始字线结构还包括形成于所述衬底与所述初始导电结构之间的初始阻挡结构；所述去除所述衬底的第一中间部分的部分结构和部分所述初始字线结构，形成中间沟槽，包括：去除所述衬底位于所述初始字线结构顶面之上的部分结构，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述初始字线结构的第二部分的顶面；去除覆盖所述初始导电结构的第一预设部分的所述衬底，以及去除覆盖所述初始导电结构的第一预设部分的所述初始阻挡结构，形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露所述初始导电结构的第一预设部分，所述第一沟槽和所述第二沟槽共同构成所述中间沟槽。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述初始字线结构顶面之上保留的所述衬底形成多个独立设置的岛型结构；所述去除覆盖所述初始导电结构的第一预设部分的所述衬底，包括：以所述岛型结构和所述初始字线结构的第二部分的顶面为掩膜，去除覆盖所述初始导电结构的第一预设部分的所述衬底。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，去除所述衬底的第二中间部分的部分结构，包括：以所述中间结构和所述初始字线结构为掩膜，采用纵向刻蚀工艺部分去除所述衬底的第二中间部分，暴露出所述初始导电结构的第二预设部分。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述衬底的第二中间部分的部分结构，还包括：采用横向刻蚀工艺，去除被所述初始字线结构的第二部分覆盖的所述衬底的第二中间
部分。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述初始字线结构的第二部分中的部分所述初始导电结构，包括：形成填充于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：