【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，具体地说，涉及一种釆用封 闭循环系统将工业级别的硅生成电子级别的硅的制备方法。
技术介绍
工业级别的硅包含大约1%的杂质，通常是由一种硅土复合材料 获得，如沙子。为了使这种工业硅用到电子设备上，这种硅必须被进 一步精炼到含杂质少于十亿分之一，即多晶硅。为了完成这项工作，半导体电子工业已经釆用西门子法或改良西 门子法，以及流化床法等工艺技术批量生产多晶硅。西门子法或改良西门子法，关键点在于起反应的气体和 一种抗 热起始棒(即硅芯)接触，该起始棒以厘米增长作为多晶硅硅产生后 的沉积。该反应通常釆用钟罩型反应器，反应器内硅棒表面温度在110(TC左右。该工艺使用一种单独的设备以工业硅和氯化氢为材料， 被使用来生产和提纯三氯化硅和/或四氯化硅。氯化氢通常是在另外 一种设备中生产或单独购买。在纯净的三氯硅垸和/或四氯化硅被设 备生成之后，会被传送到多晶硅提纯和还原反应设备中生成多晶硅和 一种排出流；这股排出流有时会被放弃。在另外的时候， 一些未反应 的三氯硅烷和/或四氯化硅会被从排出流中分离出来循环使用。西门子法或改良西门子法由于使用的钟罩型反应器受其内部...
【技术保护点】
一种多晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： １）先将工业硅颗粒与氯化氢在氯硅烷反应堆中进行反应，生成三氯氢硅和／或四氯化硅和氢气； ２）然后将生成物中的固体物和气体分离，分离后的固体物进入氯硅烷提纯系统进行提纯，同时将分离 后的气体进入氯化氢与氢气分离系统进行处理，分离后的氯化氢返回步骤１）中的氯硅烷反应堆中用于反应； ３）提纯后的三氯氢硅和／或四氯化硅与分离出的氢气在硅还原反应堆中进行沉积反应，得多晶硅； ４）步骤３）的反应剩余物进入分离再循环系 统，分离出的三氯氢硅和／或四氯化硅再进入步骤２）中的氯硅烷提纯系统进行提纯处...
【技术特征摘要】
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