半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。本发明专利技术设计的半导体器件包含衬底，位于衬底上方的界面层，自界面层外侧环绕设置的高k介质层，高k介质层的材质具备如下化学式：A

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着晶体管特征尺寸的不断微缩，传统的MOSFET器件经历了由平面结构到三维结构的转变，提升器件性能的同时降低短沟道效应带来的影响。目前主流的三维结构晶体管是FinFET。但是FinFET在5nm以下技术代面临巨大的挑战，而在最新发布的International Roadmap for Devices and Systems(IRDS)中，纳米片环栅晶体管(Nanosheet
‑
GAAFET)是3nm节点之后可以有效替代FinFET的关键器件，并且可以显著抑制短沟效应，提升器件的电流驱动性能。
[0003]GAA stacked nanosheet FET是在FinFET和Nanowire
‑
FET的基础上发展而来的一种具有环栅结构和水平纳米片(NS)作为导电沟道的新型器件。在栅极控制方面，环栅结构具有比FinFET器件结构更好的栅控能力，可以有效抑制器件的短沟道效应；在电流驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件的栅极电介质层，所述栅极电介质层包含界面层，其特征在于，所述栅极电介质层还包含覆盖所述界面层的高k介质层，所述高k介质层的材质具备如下化学式：A
x
B1‑
x
O
y
；其中，所述元素A选自Hf、Si中任意一种，所述元素B选自Al、La、Co、Cr、Mn、Ti、Ta、Zr、Y、Sc中任意一种，且x取值0～1，y为零以外的任意自然数；所述元素A的含量在所述高k介质层中自远离所述界面层顶面的方向逐渐减少；所述元素B的含量在所述高k介质层中自远离所述界面层顶面的方向逐渐增加。2.根据权利要求1所述栅极电介质层，其特征在于，所述元素A的含量与所述元素B的含量在所述高k介质层中呈线性变化和/或非线性变化，所述非线性变化包含指数变化或对数变化。3.根据权利要求1所述栅极电介质层，其特征在于，所述高k介质层的厚度T
HK
为优选进一步优选最优选4.根据权利要求1所述栅极电介质层，其特征在于，所述界面层的材质为含硅氧化物，所述含硅氧化物包含SiO2。5.一种用于半导体器件的HKMG结构，其特征在于，所述HKMG结构包括权利要求1～4中任一项所述栅极电介质层，还包括金...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，魏延钊，姚佳欣，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：