栅极的制作方法技术

本发明专利技术提供一种栅极的制作方法，包括在多晶硅层的刻蚀形成栅极后，进行第一次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的原生氧化物，进行第二次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的条纹形貌。本发明专利技术栅极刻蚀后增加两步各向同性刻蚀，通过控制两步各向同性刻蚀的刻蚀参数，避免栅极侧壁出现条纹现象，进而改善栅极侧壁形貌，提高了器件的稳定性。稳定性。稳定性。

【技术实现步骤摘要】
栅极的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种栅极的制作方法。

技术介绍

[0002]RFLDMOS(Radio Frequency Lateral Double
‑
diffused MOSFET，射频横向双扩散金属氧化物场效应管)具有高工作频率、高耐压、高输出功率、高增益、高线性等优点，被广泛应用在移动发射基站、广播电视发射基站、宽带频率调制发射机、机载应答器、雷达系统等。
[0003]栅形貌对阈值电压有着重要的影响，在RFLDMOS器件的制作过程中，通过刻蚀多晶硅形成多晶硅栅，若刻蚀后的栅极形貌不稳定，将会影响器件的阈值电压，进而影响器件的性能。然而，在RFLDMOS产品的栅极(GPL ET)中，由于多晶硅颗粒粗化(Poly grain rough)的原因，在通常的刻蚀栅极多晶硅(Poly)过程中，栅极的侧壁条纹(Striation)比较严重，如图1所示，且侧壁容易形成一层原生氧化物(native oxide)，导致后续栅极过刻蚀(Poly OE step)无法改善此striation形貌，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅极的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成栅氧层和多晶硅层；进行多晶硅层的刻蚀形成栅极；进行第一次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的原生氧化物；进行第二次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的条纹形貌。2.根据权利要求1所述的栅极的制作方法，其特征在于，多晶硅层的刻蚀形成栅极的过程包括：在所述多晶硅层上形成图案化的底部抗反射层和光刻胶层；以图案化的底部抗反射层和光刻胶层为掩膜，对所述多晶硅层进行刻蚀。3.根据权利要求2所述的栅极的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅层进行的刻蚀包括：预刻蚀、主刻蚀、着陆刻蚀及过刻蚀。4.根据权利要求3所述的栅极的制作方法，其特征在于，所述第一次各向同性刻蚀采用的刻蚀气体包括氟基气体。5.根据权利要求4所述的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙娟，熊磊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：