半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述鳍部表面形成伪栅介质层；在所述伪栅介质层上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和所述伪栅极侧壁的第一侧墙，所述伪栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在所述伪栅极结构两侧的鳍部内形成源漏层；在所述衬底和所述源漏层表面形成层间介质层，所述层间介质层还位于所述伪栅极结构侧壁，且暴露出所述伪栅极顶部表面；去除所述伪栅极和所述伪栅极底部的部分鳍部，在所述层间介质层内形成开口；在所述开口侧壁表面形成第二侧墙；形成所述第二侧墙后，在所述开口内形成栅极，减少漏电的发生概率，提高生产良率和器件性能的稳定性。提高生产良率和器件性能的稳定性。提高生产良率和器件性能的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在现有的半导体领域中，鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，与平面式的金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比，鳍式场效应晶体管具有更强的短沟道抑制能力，具有更强的工作电流，现已广泛应用于半导体各种器件中。
[0003]金属互连结构是半导体器件中不可或缺的结构，用于实现有源区与有源区之间的互连、晶体管和晶体管之间的互连、或者不同层金属线之间的互连，完成信号的传输和控制。一般的，在半导体器件制造过程的后端互连工艺中，第一层导电层(M1)需要与下层的有源器件结构(包含源漏区域和栅极结构区域)之间形成电学连接。因此，在形成第一层导电层之前，通常需要预先形成半导体器件的局部互连结构(Local Interconnect)。所述局部互连结构包含：与下层的源漏区之间电连接的第零层导电层(M0)、以及与栅极结构之间电连接的第零层栅导电层(M0G)。
[0004]随着半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括基底、位于所述基底上的鳍部和隔离结构，所述隔离结构位于所述鳍部部分侧壁，且所述隔离结构顶部表面低于所述鳍部顶部表面；位于所述衬底上的层间介质层，所述层间介质层内具有开口，所述开口横跨所述鳍部，且位于部分所述鳍部内，所述开口底部表面低于所述鳍部的顶部表面；位于所述开口侧壁和所述层间介质层之间的第一侧墙，所述第一侧墙横跨所述鳍部，且位于部分所述鳍部侧壁表面；位于所述开口侧壁表面的第二侧墙，所述第二侧墙底部表面低于所述鳍部顶部表面；位于所述开口内的栅极，栅极结构包括所述第一侧墙和所述栅极；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源漏层。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极包括位于所述开口内的栅氧层、位于所述栅氧层表面的功函数层和位于所述功函数层表面的栅极层。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述开口在所述鳍部内的深度范围为小于或等于200埃。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二侧墙在垂直于所述开口侧壁的方向上的厚度范围为小于或等于50埃。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述层间介质层内的接触孔，所述接触孔暴露出所述源漏层表面；位于所述接触孔内的导电层。6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于部分所述基底上的鳍部；在所述鳍部表面形成伪栅介质层；在所述伪栅介质层上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和所述伪栅极侧壁的第一侧墙，所述伪栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在所述伪栅极结构两侧的鳍部内形成源漏层；在所述衬底和所述源漏层表面形成层间介质层，所述层间介质层还位于所述伪栅极结构侧壁，且暴露出所述伪栅极顶部表面；去除所述伪栅极和所述伪栅极底部的部分鳍部，在所述层间介质层内形成开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘中元，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：