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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述鳍部表面形成伪栅介质层；在所述伪栅介质层上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和所述伪栅极侧壁的第一侧墙，所述伪栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在所述伪栅极...
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