一种碳化硅单晶生长用新型石墨坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅单晶生长用新型石墨坩埚，涉及碳化硅单晶技术领域；包括坩埚本体，坩埚本体的内上侧为竖直面一，竖直面一的下侧与斜面连接，斜面的下侧连接有竖直面二；本实用新型专利技术比原坩埚产出碳化硅单晶大颗粒包裹密度大幅度降低，影响晶表面积也明显减少，坩埚晶体GA产率提高6.67％；后期大颗粒包裹情况得到明显改善。裹情况得到明显改善。裹情况得到明显改善。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶生长用新型石墨坩埚


[0001]本技术属于碳化硅单晶
，具体涉及一种碳化硅单晶生长用新型石墨坩埚。

技术介绍

[0002]现有的坩埚如图1所示，其可使用7
‑
8次，其坩埚丝扣下面为直接，内壁为竖直面，坩埚边缘台阶上的石墨烧失粉化后被碳化硅蒸汽带至晶体表面是形成后期大颗粒包裹，而通过数据分析发现坩埚前三次使用时易产生大颗粒包裹导致晶体降级，因此需要一种新型石墨坩埚来解决此问题。

技术实现思路

[0003]为解决现有的坩埚可使用7
‑
8次，而通过数据分析发现坩埚前三次使用时易产生大颗粒包裹导致晶体降级的问题；本技术的目的在于提供一种碳化硅单晶生长用新型石墨坩埚。
[0004]本技术的一种碳化硅单晶生长用新型石墨坩埚，包括坩埚本体，坩埚本体的内上侧为竖直面一，竖直面一的下侧与斜面连接，斜面的下侧连接有竖直面二。
[0005]与现有技术相比，本技术的有益效果为：
[0006]比原坩埚产出碳化硅单晶大颗粒包裹密度大幅度降低，影响晶表面积也明显减少，坩埚晶体GA产率提高6.67％；后期大颗粒包裹情况得到明显改善。
附图说明
[0007]为了易于说明，本技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。
[0008]图1为现有技术的结构示意图；
[0009]图2为本技术的结构示意图。
[0010]图中：1
‑
坩埚本体；11
‑
竖直面一；12
‑
斜面；13r/>‑
竖直面二。
具体实施方式
[0011]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本技术。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本技术的范围。本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本技术的概念。
[0012]在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本技术，在附图中
仅仅示出了与根据本技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本技术关系不大的其他细节。
[0013]如图2所示，本具体实施方式采用以下技术方案：包括坩埚本体1，坩埚本体1的内上侧为竖直面一11，竖直面一11的下侧与斜面12连接，斜面12的下侧连接有竖直面二13，将原有的坩埚进行改造，通过竖直面与斜面的相结合来实现。
[0014]本具体实施方式的工作原理为：坩埚比原坩埚产出碳化硅单晶大颗粒包裹密度大幅度降低，影响晶表面积也明显减少，使用本专利技术坩埚晶体GA产率提高6.67％，包裹占比30％以上的(因包裹降级的)降低了26.66％，后期大颗粒包裹情况得到明显改善。包裹深度与使用原坩埚相差不大。使用本专利技术坩埚对后期大颗粒包裹有明显减少和改善作用。
[0015]对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。
[0016]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶生长用新型石墨坩埚，其特征在于：包括坩埚本体，坩埚本体的内上...

【专利技术属性】
技术研发人员：马敬军，李文勇，陈荣坤，张冬，
申请(专利权)人：河北天达晶阳半导体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：