一种碳化硅单晶生长炉高精度籽晶位测量装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅单晶生长炉高精度籽晶位测量装置，涉及碳化硅单晶生长技术领域；包括导轨

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶生长炉高精度籽晶位测量装置


[0001]本技术属于碳化硅单晶生长
，具体涉及一种碳化硅单晶生长炉高精度籽晶位测量装置
。

技术介绍

[0002]现有的碳化硅单晶生长炉需要通过测量装置来测量籽晶位置，而现有的测量装置为采用直尺测量，最小刻度
1mm
，无法满足精准控制的要求，且由于读数不直观，不同操作人员读数时存在较大偏差
。

技术实现思路

[0003]为解决现有的碳化硅单晶生长炉需要通过测量装置来测量籽晶位置，而现有的测量装置为采用直尺测量，最小刻度
1mm
，无法满足精准控制的要求，且由于读数不直观，不同操作人员读数时存在较大偏差的问题；本技术的目的在于提供一种碳化硅单晶生长炉高精度籽晶位测量装置，提高测量精度，更准确的调整高温线位置，减少乃至杜绝人为误差
。
[0004]本技术的一种碳化硅单晶生长炉高精度籽晶位测量装置，包括导轨
、
加固方管
、
限位块
、
滑块
、
安装板
、L
形块
、
数显深度卡尺；导轨的底部均安装有加固方管，导轨的两端均设置有限位块，限位块通过螺栓安装在加固方管上，滑块活动连接在导轨上，滑块上安装有安装板，安装板的侧面安装有
L
形块，数显深度卡尺安装在
L
形块上
。
[0005]作为优选，所述数显深度卡尺上安装有锁紧螺栓
。
[0006]与现有技术相比，本技术的有益效果为：
[0007]一
、
能够实现快速固定与调节，便于准确的测量，稳定性高，操作简便；节省了测量的时间，结构简单，同时提高了效率
。
[0008]二
、
造价便宜，节约成本
。
附图说明
[0009]为了易于说明，本技术由下述的具体实施及附图作以详细描述
。
[0010]图1为本技术的结构示意图
。
[0011]图中：1‑
导轨；2‑
加固方管；3‑
限位块；4‑
滑块；5‑
安装板；6‑
L
形块；7‑
数显深度卡尺；8‑
锁紧螺栓
。
具体实施方式
[0012]为使本技术的目的
、
技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本技术
。
但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本技术的范围
。
本说明书附图所绘示的结构
、
比例
、
大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故
不具技术上的实质意义，任何结构的修饰
、
比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内
。
此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本技术的概念
。
[0013]在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本技术，在附图中仅仅示出了与根据本技术的方案密切相关的结构和
/
或处理步骤，而省略了与本技术关系不大的其他细节
。
[0014]如图1所示，本具体实施方式采用以下技术方案：包括导轨
1、
加固方管
2、
限位块
3、
滑块
4、
安装板
5、L
形块
6、
数显深度卡尺7；
[0015]导轨1的底部均安装有加固方管2，加固方管2能够提高强度，且使得导轨1不易出现折断的现象，导轨1的两端均设置有限位块3，限位块3能够实现滑块的限位，防止滑块脱离导轨，限位块3通过螺栓安装在加固方管2上，滑块4活动连接在导轨1上，滑块4上安装有安装板5，滑块4能够在导轨上滑动，便于调节数显深度卡尺7的位置，安装板5的侧面安装有
L
形块6，数显深度卡尺7安装在
L
形块6上，所述数显深度卡尺7上安装有锁紧螺栓8，锁紧螺栓8与数显深度卡尺7的尺身侧壁相接触
。
[0016]本具体实施方式的工作原理为：在使用时，将整体放置在生长炉上，而测量板上的刻度线层能够实现测量，此时根据需要调节数显深度卡尺的位置，调节时，通过滑块4来实现调节数显深度卡尺7的位置，调节完成后，使得深度尺尺身下降，将尺身下端与籽晶位接触即可测量到距离，其使用方便，能够节省时间，稳定性高，同时在测量时稳定性高，能够保证垂直度，提高测量准确度
。
[0017]对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术
。
因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内
。
[0018]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种碳化硅单晶生长炉高精度籽晶位测量装置，其特征在于：包括导轨
、
加固方管
、
限位块
、
滑块
、
安装板
、L
形块
、
数显深度卡尺；导轨的底部均安装有加固方管，导轨的两端均设置有限位...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋保全，李茂源，李文勇，张冬，
申请(专利权)人：河北天达晶阳半导体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：