【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别涉及一种可提升发光效率的发光 二极管及其制造方法。
技术介绍
参阅图1，为一种已知发光二极管(LED)，包括一基板11，由下往上堆叠的一缓冲 层12、一 η型披覆层13、一发光层14、一 ρ型披覆层15、一电流扩散层16、一 ρ型电极17以 及一设置在该η型披覆层13的裸露表面上的η型电极18。当电流自该ρ型电极17注入 后，电子、空穴于该发光层14中结合而可发出光线，然而光线向上射出时，部分光线会朝该 P型电极17方向发射而遭到遮蔽，而且该ρ型电极17的底部通常为容易吸收光线的材质制 成，进而降低光线的射出量，使该发光二极管整体的发光效率下降。参阅图2，为解决上述ρ型电极17吸光及电极遮蔽的问题， 目前有一种发光二极管 结构被提出，其结构大致上与图1相同，只是图2的电流扩散层16的局部区块被蚀刻移除， 并增加设置一个面积与该P型电极17相同的反射层19，该反射层19由至少二种不同材质 制成，其顶部可导电，底部为绝缘并可反射光线的材质，而该P型电极17设置在该反射层19 上。所述反射层19具有光反射效果，用以反射由该发光层14发射至该ρ型...
【技术保护点】
一种发光二极管，包括：一个基板单元、由邻近而远离该基板单元而设置的一个发光单元、一个反射单元与一个第一电极以及一个电连接该发光单元的第二电极，其特征在于，该反射单元将该发光单元发出而射向该第一电极的光线反射，且该反射单元包括一个第一主体，该第一电极包括一个对应地位于该第一主体的上方的第一电极主体，所述第一主体的几何半径大于该第一电极主体的几何半径。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林志胜，吴哲雄，
申请(专利权)人：晶发光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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