一种具有网状结构的发光二极管，包含基板、形成于该基板顶面的磊晶单元、形成于该磊晶单元上的透明导电层、设置于该磊晶单元与该透明导电层之间的第一网状结构，以及电极单元。磊晶单元可将电能转换为光能，透明导电层可将垂直进入的电流横向均匀扩散，第...

一种具有跨接电极的发光二极管模组及其制造方法，所述发光二极管模组包括：一基板、二个彼此间隔地位于该基板上的发光二极管、一绝缘层以及一跨接电极。所述二个发光二极管的相向的表面为阶梯状表面，该绝缘层披覆在所述阶梯状表面上，因此也呈现阶梯状的...

本发明提供一种垂直式发光二极管的制造方法，包括：步骤Ａ：提供一暂时基板；步骤Ｂ：依序披覆一缓冲层、一蚀刻选择层以及一发光单元；步骤Ｃ：在该发光单元上披覆一支持基板；步骤Ｄ：利用蚀刻方式移除该暂时基板的一第一区块，使该暂时基板剩下一第二区...

本发明提供一种发光二极管，包括：一基材、一动作膜及一电极单元，特别的是，该动作膜包括一与该基材连接的底部及一自该底部向上延伸的台部，该底部具有一开放区域、一自该开放区域向一第一方向延伸的中间区域及位于该开放区域与该中间区域相反两侧的一第...

本发明提供一种具有钝化层的发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：一基材、一设置在该基材上的发光单元、一第一电极、一第二电极以及一钝化层。本发明的主要改良在于：该钝化层设置在该发光单元上并对应地位于该第二电极的下方，该钝化层具有一个...

本发明公开一种具有凹凸基板的半导体元件的制造方法，所述半导体元件具有基板及多个半导体层，基板上包含多个第一凸部，所述制造方法包含：形成第一氧化层于基板上；涂布多个光阻部于第一氧化层上；蚀刻部份第一氧化层以形成多个第二凸部；去除光阻层并沉...

一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：一基板单元、一发光单元、一反射单元、一第一电极及一第二电极。该反射单元将射向该第一电极的光线反射，且该反射单元包括一第一主体，该第一电极包括一个对应地位于该第一主体的上方的第一电极主体，所...