半导体结构及其制备方法技术

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于基底内隔离出多个间隔排布的有源区；其中，多个有源区包括第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区，第二有源区的数量大于第一有源区的数量；其中，多个浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构的深度和第二浅沟槽隔离结构的深度不同，第一浅沟槽隔离结构为相邻两个第一有源区之间的浅沟槽隔离结构或第一有源区与第二有源区之间的浅沟槽隔离结构，第二浅沟槽隔离结构为相邻两个第二有源区之间的浅沟槽隔离结构。沟槽隔离结构。沟槽隔离结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，对半导体器件的性能要求越来越高，半导体器件由多个不同种元件组成，因此对不同元件的协调与适配也有更高的要求。
[0003]通常不同运用场景与不同电路设计中N型元件与P型元件都会设计成一样的线宽（pitch)，在需要对元件进行调整以适用性能要求时，无法单独调整N型元件或单独调整P型元件，使得器件无法实现功能多样性调整，不能适应不同应用场景，降低了器件适用范围。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题提供一种半导体结构及其制备方法。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种半导体结构，包括：基底，所述基底内具有多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出多个间隔排布的有源区；其中，多个所述有源区包括第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区，所述第二有源区的数量大于所述第一有源区的数量；其中，多个所述浅沟槽隔离结构包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出多个间隔排布的有源区；其中，多个所述有源区包括第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区，所述第二有源区的数量大于所述第一有源区的数量；其中，多个所述浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构的深度和所述第二浅沟槽隔离结构的深度不同，所述第一浅沟槽隔离结构为相邻两个所述第一有源区之间的浅沟槽隔离结构或所述第一有源区与所述第二有源区之间的浅沟槽隔离结构，所述第二浅沟槽隔离结构为相邻两个所述第二有源区之间的浅沟槽隔离结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构的深度大于所述第二浅沟槽隔离结构的深度。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二有源区的数量为所述第一有源区的数量的2倍~3倍。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：栅极介质层，位于所述基底的上表面；第一导电层，位于所述介质层的上表面；第二导电层，位于所述第一导电层的上表面；隔离墙，位于所述栅极介质层、所述第一导电层、所述第二导电层及部分所述基底的侧壁。6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；于所述基底内形成多个间隔排布的初始浅沟槽隔离结构，所述初始浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出多个间隔排布的有源区；其中，多个所述有源区包括第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区，所述第二有源区的数量大于所述第一有源区的数量；刻蚀部分所述初始浅沟槽隔离结构，以形成深度不同的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：