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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于基底内隔离出多个间隔排布的有源区；其中，多个有源区包括第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区，第二有源区的数量大...
该专利属于合肥新晶集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥新晶集成电路有限公司授权不得商用。

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