半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括基底以及位于基底上的第一鳍部和第二鳍部；在第一鳍部的表面和第二鳍部的表面形成第一功函数层；在第一功函数层上形成第二功函数层；在衬底上形成图形化层，图形化层内具有暴露出位于第一鳍部上的第二功函数层的刻蚀开口；以图形化层为掩膜，采用第一刻蚀工艺去除位于第一鳍部上的第二功函数层，且在去除位于第一鳍部上的第二功函数层的过程中，在位于第一鳍部上的第一功函数层表面形成保护层。通过在第一功函数层的表面形成保护层，能够有效降低在去除第二功函数层的过程中对第一功函数层的刻蚀损伤，进而降低对应晶体管所需要的阈值电压的影响，以此提升最终形成的半导体结构的性能。导体结构的性能。导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]MOS(金属
‑
氧化物
‑
半导体)晶体管，是现代集成电路中最重要的元件之一，MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏掺杂区。MOS包括PMOS晶体管和NMOS晶体管。
[0003]为了适应集成电路设计中不同晶体管的开关速度的需要，需要形成具有多阈值电压的晶体管。
[0004]为了减小调节PMOS晶体管和NMOS晶体管的阈值电压，会在PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅介质层表面形成对应的功函数层。其中，PMOS晶体管的功函数层需要具有较高的功函数，而NMOS晶体管的功函数层需要具有较低的功函数。在PMOS晶体管和NMOS晶体管中，功函数层的材料不同，以满足各自功函数调节的需要。
[0005]然而，现有技术中形成的多阈值电压鳍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的第一鳍部和第二鳍部；在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁和所述第二鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述第一鳍部和所述第二鳍部的顶部表面；在所述隔离层上伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部；在所述伪栅结构的侧壁形成侧墙；在所述隔离层上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅结构，且暴露出所述伪栅结构的侧壁；去除所述伪栅结构，在所述介质层内形成栅极开口，所述栅极开口暴露出所述第一鳍部的部分表面和所述第二鳍部的部分表面；在所述栅极开口暴露出的所述第一鳍部的表面和所述第二鳍部的表面形成第一功函数层；在所述第一功函数层上形成第二功函数层；在所述衬底上形成图形化层，所述图形化层内具有暴露出位于所述第一鳍部上的所述第二功函数层的刻蚀开口；以所述图形化层为掩膜，采用第一刻蚀工艺去除位于所述第一鳍部上的所述第二功函数层，且在去除位于所述第一鳍部上的所述第二功函数层的过程中，在位于所述第一鳍部上的所述第一功函数层表面形成保护层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺包括：SiCoNi各向同性的干法刻蚀工艺。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述SiCoNi各向同性的干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体O2、He以及Cl2；功率为400W～440W；压强为25mTorr～45mTorr；各刻蚀气体的流量为Cl2的流量为7.5sccm、He的流量为51sccm、O2的流量为0.2sccm～0.4sccm。4.如权利要求3所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷立强，王静，崇二敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：