改善半导体器件的热载流子注入效应的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成半导体器件的栅极结构。步骤二、在栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式外延层。步骤三、以栅极结构的侧面为自对准条件进行LDD注入形成LDD区，通过LDD注入放置在嵌入式外延层的形成之后，以避免嵌入式外延层的形成工艺对LDD区的掺杂杂质产生损失，从而改善热载流子注入效应。步骤四、进行源漏注入。本发明专利技术能防止LDD区的掺杂杂质损失，从而改善器件的热载流子注入效应。热载流子注入效应。热载流子注入效应。

【技术实现步骤摘要】
改善半导体器件的热载流子注入效应的方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种改善半导体器件的热载流子注入效应(hot carrier injection effect，HCI)的方法。

技术介绍

[0002]随着工艺节点的缩小，半导体器件通常会采用到鳍体(Fin)，以增加栅极对沟道区的控制；同时还会在源漏区中增加嵌入式外延层，以增加沟道区的应力并从而改善沟道区的载流子迁移率。
[0003]如图1所示，是现有N型输入输出(IO)器件的制造方法的流程图；现有半导体器件的制造方法通常包括如下结构：
[0004]对半导体衬底进行图形化刻蚀形成鳍体；形成由栅介质层和多晶硅(Poly)栅叠加而成的栅极结构。该步骤对应于图1中的步骤S101，Fin/Poly Loop。Loop表示工艺环，即形成Fin和多晶硅栅的所有步骤。
[0005]在栅极结构的侧面形成补偿侧墙(offset spacer)；该步骤对应于图1中的步骤S102，offset Spacer DEP。DEP表示沉积工艺。<br/>[0006]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成半导体器件的栅极结构；步骤二、在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成嵌入到所述半导体衬底内部的嵌入式外延层；步骤三、以所述栅极结构的侧面为自对准条件进行LDD注入形成LDD区，通过将所述LDD注入放置在所述嵌入式外延层的形成之后，以避免所述嵌入式外延层的形成工艺对所述LDD区的掺杂杂质产生损失，从而改善热载流子注入效应；步骤四、进行源漏注入在所述栅极结构的两侧的所述嵌入式外延层中自对准形成源漏区。2.如权利要求1所述的改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。3.如权利要求1所述的改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，其特征在于：在步骤二之前还包括：在所述栅极结构的侧面自对准形成补偿侧墙的步骤。4.如权利要求3所述的改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，其特征在于：所述补偿侧墙通过沉积补偿侧墙介质层，之后对所述补偿侧墙介质层进行全面的各向异性刻蚀形成；所述补偿侧墙介质层包括氧化层、氮氧化层或氮化层。5.如权利要求3所述的改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，其特征在于：步骤二包括如下分步骤：对所述栅极结构两侧的所述半导体衬底进行刻蚀形成第一沟槽；在所述第一沟槽中填充所述嵌入式外延层。6.如权利要求1或2所述的改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，其特征在于：半导体器件包括N型IO器件。7.如权利要求6所述的改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，其特征在于：步骤二中，所述嵌入式外延层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱柠镕，翁文寅，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：