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本发明公开了一种改善半导体器件的热载流子注入效应的方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成半导体器件的栅极结构。步骤二、在栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式外延层。步骤三、以栅极结构的侧面为自对准条件进行LDD注入形成LDD区，通过LDD注...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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