蚀刻液及导体图案的形成方法技术

本发明专利技术提供即使连续或反复使用，也可以一边维持图案的顶部形状一边进行蚀刻的铜的蚀刻液，和使用其的导体图案的形成方法。本发明专利技术的蚀刻液的特征为，是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液，其中，含有唑和芳香族化合物，所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子，所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中的至少一种。另外，本发明专利技术的导体图案的形成方法的特征为，使用上述本发明专利技术的蚀刻液，将电绝缘件（１）上铜层的未被抗蚀剂（３）覆盖的部分进行蚀刻，形成导体图案（２）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铜的蚀刻液及使用其的导体图案的形成方法。
技术介绍
在印刷电路板的制造中，用光蚀刻法来形成由铜制成的导体图案(配 线图案、端子图案等)时，使用氯化铁系蚀刻液、氯化铜系蚀刻液、碱 性蚀刻液等作为蚀刻液。但是，在这些蚀刻液中，存在^皮称为底切(undercut)的抗蚀剂(etching resist)下的铜从侧面溶解的问题。即， 产生如下现象希望通过被抗蚀剂覆盖而不被本来蚀刻除去的部分(即 配线部分)，被侧蚀刻除去，沿着从该配线的底部到顶部，宽幅变细的 现象(底切)。特别是配线图案为微细时，这样的底切必须尽可能少。以往，研究了能抑制所述底切的蚀刻液。例如在下述专利文献l中， 提出含有氯化铜、盐酸、2-氨基苯并噻唑类化合物、聚乙二醇及特定 的亚烷基多胺化合物的水溶液的技术方案。另外，在下述专利文献2中，公开了通过配合特定的唑，而底切少， 能防止铜配线的顶部变细的图案形成用蚀刻液。专利文献l:特开平6 - 57453号公报 专利文献2:特开2005 - 330572号公才艮
技术实现思路
然而，对上述专利文献l中所述的以往的蚀刻液来说，有抑制底切 不充分的情况，要求能进一步抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻液，其特征在于，是含有铜离子源、酸及水的铜蚀刻液，其中，　含有唑和芳香族化合物，所述唑仅具有氮原子作为存在于环内的杂原子，所述芳香族化合物选自酚类和芳香族胺类中的至少一种。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：户田健次，高垣爱，
申请(专利权)人：MEC股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]