一种晶圆研磨装置制造方法及图纸

本申请实施例提供的一种晶圆研磨装置，属于半导体制造设备技术领域，包括承载台和晶圆固定件，在承载台的晶圆固定区域上设置能够覆盖所有负压孔的晶圆固定件，并将晶圆固定在该晶圆固定件上，从而使晶圆被间接固定在承载台上，该种固定方式既方便工作人员更换晶圆，又解决了部分非标准晶圆因尺寸或者形状限制无法被吸附固定在承载台上的问题，提高了晶圆研磨设备的适用性，满足了不同规格产品的研磨需求，有效提高了工作效率。有效提高了工作效率。有效提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆研磨装置


[0001]本申请涉及半导体制造设备
，尤其涉及一种晶圆研磨装置。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。随着半导体技术的发展，对晶圆表面的平坦度及去除速率提出了更高的要求。晶圆研磨，主要是通过机械研磨装置将晶圆表面打磨，以使晶圆的厚度控制在一定范围内。对晶圆研磨是加快厚度去除速率、提升晶圆表面平坦度最有效的技术手段之一。晶圆包括标准晶圆和非标准晶圆，标准晶圆是半径为4英寸、6英寸、8英寸或者12英寸等通用尺寸、规定形状的晶圆，如图1所示。非标准晶圆是指横截面为非规定形状或者尺寸为非通用尺寸的晶圆，如图2所示。
[0003]但是，晶圆研磨设备的晶圆固定区域是根据标准晶圆的形状和尺寸设置的，由于非标准晶圆的形状和尺寸的限制，导致非标准晶圆存在无法覆盖晶圆固定区域上所有的负压孔的情况，从而无法使非标准晶圆被吸附固定在晶圆固定区域。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种晶圆研磨装置，解决了非标准晶圆因形状和尺寸的限制而无法被吸附固定在晶圆研磨装置的承载台上的问题。
[0005]本申请实施例提供一种晶圆研磨装置，包括承载台和晶圆固定件；
[0006]承载台上具有多个负压孔，多个负压孔共同布局形成晶圆固定区域；
[0007]晶圆固定件包括晶圆固定膜和压紧件，晶圆固定膜覆盖在晶圆固定区域的所有负压孔上，晶圆固定膜通过负压孔吸附固定在晶圆固定区域；晶圆固定膜背向承载台的一侧至少用于固定晶圆中的非标准晶圆；
[0008]压紧件固定在晶圆固定膜背向承载台的一侧，压紧件用于使晶圆固定膜贴合于承载台的表面，晶圆与压紧件错开设置。
[0009]在一种可行的实现方式中，晶圆固定件为晶圆固定膜。
[0010]在一种可行的实现方式中，还包括压紧件；
[0011]压紧件固定在晶圆固定膜背向承载台的一侧，负压孔压紧件用于使晶圆固定膜贴合于承载台的表面，晶圆与压紧件错开设置。
[0012]在一种可行的实现方式中，压紧件位于晶圆固定膜的边缘，压紧件与晶圆固定膜围合形成晶圆设置区域，晶圆位于晶圆设置区域中。
[0013]在一种可行的实现方式中，压紧件为压紧环，压紧环围绕在晶圆固定膜的边缘一周。
[0014]在一种可行的实现方式中，在晶圆固定于晶圆固定膜上时，压紧件背向晶圆固定膜的一端低于晶圆背向晶圆固定膜的一侧。
[0015]在一种可行的实现方式中，晶圆固定膜为BG膜。
[0016]在一种可行的实现方式中，晶圆粘接在晶圆固定件背向承载台的一侧。
[0017]在一种可行的实现方式中，所述晶圆固定件的横截面积大于或等于所述晶圆固定区域的面积在一种可行的实现方式中，晶圆固定区域与晶圆中的标准晶圆的形状及尺寸相匹配；
[0018]晶圆固定区域在其中一种状态下用于吸附晶圆固定件；
[0019]晶圆固定区域在另一种状态下用于吸附固定晶圆中的标准晶圆。
[0020]本申请实施例提供的一种晶圆研磨装置，在承载台的晶圆固定区域上设置能够覆盖所有负压孔的晶圆固定膜，并将晶圆固定在该晶圆固定膜上，从而使晶圆被间接固定在承载台上，该种固定方式既方便工作人员更换晶圆，又解决了部分非标准晶圆因尺寸或者形状限制无法被吸附固定在承载台上的问题，提高了晶圆研磨设备的适用性，满足了不同规格产品的研磨需求，有效提高了工作效率。
附图说明
[0021]图1是现有技术中的标准晶圆的结构示意图；
[0022]图2是现有技术中的非标准晶圆的结构示意图；
[0023]图3是一实施例中的可吸附固定晶圆的承载台的示意图；
[0024]图4是本申请一实施例提供的晶圆研磨装置的结构示意图；
[0025]图5是图4中晶圆被设置在晶圆设置区域中的示意图；
[0026]图6是图5中的结构的俯视图。
[0027]附图标记说明：
[0028]100
‑
标准晶圆；200
‑
非标准晶圆；300
‑
负压孔；400
‑
晶圆固定区域；500
‑
研磨头；600
‑
晶圆；700
‑
压紧件；800
‑
晶圆固定件；900
‑
承载台；1000
‑
晶圆设置区域。
具体实施方式
[0029]为了使本
的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0030]在本申请实施例的描述中，术语“第一”“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”“相连”“连接”“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0032]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在
第二特征“之上”“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0033]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。随着半导体技术的发展，对晶圆表面的平坦度及去除速率提出了更高的要求。晶圆研磨，主要是通过机械研磨装置将晶圆表面打磨，以使晶圆的厚度控制在一定范围内。对晶圆研磨是加快厚度去除速率、提升晶圆表面平坦度最有效的技术手段之一。晶圆包括标准晶圆和非标准晶圆，其中，标准晶圆是指半径为4英寸、6英寸、8英寸或者12英寸等通用尺寸、规定形状的晶圆，如图1所示。非标准晶圆是指横截面为非规定形状或者尺寸为非通用尺寸的晶圆，如图2所示，具体包括正方形、矩形、三角形、梯形或不规则形状晶圆以及小尺寸的晶圆。
[0034]晶圆研磨设备的晶圆固定区域是根据标准晶圆的形状和尺寸设置的，由于非标准晶圆的形状和尺寸的限制，导致非标准晶圆存在无法覆盖所有负压孔的情况，进而导致负压孔中不能产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨装置，其特征在于，包括承载台和晶圆固定件；所述承载台上具有多个负压孔，多个所述负压孔共同布局形成晶圆固定区域；所述晶圆固定件包括晶圆固定膜和压紧件，所述晶圆固定膜覆盖在所述晶圆固定区域的所有所述负压孔上，所述晶圆固定膜通过所述负压孔吸附固定在所述晶圆固定区域；所述晶圆固定膜背向所述承载台的一侧至少用于固定晶圆中的非标准晶圆；所述压紧件固定在所述晶圆固定膜背向所述承载台的一侧，所述压紧件用于使所述晶圆固定膜贴合于所述承载台的表面，所述晶圆与所述压紧件错开设置。2.根据权利要求1所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述压紧件位于所述晶圆固定膜的边缘，所述压紧件与所述晶圆固定膜围合形成晶圆设置区域，所述晶圆位于所述晶圆设置区域中。3.根据权利要求2所述的晶圆研磨装置，其特征在于，所述压紧件为压紧环，所述压紧环围绕在所述晶圆固定膜的边缘一周。...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷菲菲，胡文，胡卉，连坤，王金翠，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：