【技术实现步骤摘要】
载具和抛光设备
[0001]本申请涉及抛光
,尤其涉及一种载具和抛光设备。
技术介绍
[0002]裸晶芯片是从晶圆上切割下来的电路部件。在诸如RDL(ReDistribution Layer,重布线层)封装,Die
‑
to
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Die(裸晶到裸晶)键合、Die
‑
to
‑
Wafer(裸晶到晶圆)键合等工艺中,裸晶芯片表面的平整度决定了工艺的操作成功率以及所得元器件的质量。
[0003]现有的抛光技术和抛光设备对于晶圆的表面抛光已相当成熟。但是这些设备在技术层面上仅适用于完整的晶圆,并不适用于裸晶芯片。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种载具和抛光设备,以解决相关技术中的部分或者全部不足。
[0005]本申请第一方面提供一种载具,包括:本体,包括抛光侧和组装侧;所述组装侧用于与抛光设备连接;以及芯片槽,设置于所述抛光侧;所述芯片槽包括底面;所述底面用于与裸晶芯片可拆卸连接;所述芯片槽的深度小于所述裸晶芯片的厚度。< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种载具,其特征在于,包括:本体,包括抛光侧和组装侧;所述组装侧用于与抛光设备连接;以及芯片槽,设置于所述抛光侧;所述芯片槽包括底面;所述底面用于与裸晶芯片可拆卸连接;所述芯片槽的深度小于所述裸晶芯片的厚度。2.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述芯片槽包括设置于所述底面的低压孔;所述低压孔连通所述组装侧和所述芯片槽。3.根据权利要求2所述的载具,其特征在于,所述低压孔远离所述芯片槽的侧壁设置。4.根据权利要求2所述的载具,其特征在于,所述低压孔的直径大于或者等于1mm、且小于或者等于5mm。5.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述载具还包括:粘合层,设置于所述底面,用于与所述裸晶芯片粘接。6.根据权利要求5所述的载具,其特征在于,所述粘合层的材料为石蜡。7.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述本体设置为圆形;所述本体的直径为4英寸、6英寸、8英寸或者12英寸。8.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述本体的厚度大于或者等于900μm、且小于或者等于1300μm。9.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述芯片槽的深度大于或者等于525μm、且小于或者等于625μm。10.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述芯片槽的数量包括多个;多个所述芯片槽围绕所述本体的中心轴线均匀分布。11.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述抛光设备为CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光)设备。12.一种抛光设备,其特征在于,包括吸附臂、抛光垫和载具;所述载具包括:本体,包括抛光侧和组装侧;所述组装侧用于与抛光设备连接;以及芯片槽,设置于所述抛光侧;所述芯片槽包...
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